Интернет-магазин
электронных компонентов
ЗАПРОС
Категории
Корзины
Заказы
Оплата и доставка
Контакты
8 800 533-88-70
Поиск по компоненту
RUS
Войти
...
/
Главная
/
Все категории
/
Полупроводниковые компоненты
/
Модули беспроводной связи и РЧ полупроводники
/
Транзисторы РЧ
/
Транзисторы полевые с управляющим переходом
Транзисторы полевые с управляющим переходом
Подкатегории
Фильтры
Применить
Всего результатов:
262
Manufacturer
MACOM
Qorvo
Wolfspeed
CEL
NXP
Central Semiconductor
Skyworks
Transistor Type
HEMT
pHEMT
JFET
Technology
GaN-on-Si
GaN-on-SiC
GaN
GaAs
Si
Рабочая частота
6 GHz
DC to 6 GHz
1 GHz to 2.5 GHz
DC to 1.7 GHz
1.2 GHz to 1.4 GHz
2.5 GHz to 5 GHz
5 GHz to 5.9 GHz
30 MHz to 1.215 GHz
2.7 GHz
2 GHz to 4 GHz
2 GHz to 6 GHz
0.03 GHz to 3 GHz
4.5 GHz to 6 GHz
18 GHz
10 MHz to 18 GHz
DC to 1000 MHz
910 MHz
3.7 GHz
DC to 4 GHz
Gain
16 dB
16.7 dB
19 dB
14 dB
18 dB
17.8 dB
18.6 dB
13 dB
19.8 dB
21.4 dB
15 dB
16.5 dB
17.1 dB
12 dB
17 dB
20.3 dB
9 dB
21 dB
18.5 dB
Transistor Polarity
N-Channel
P-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
100 V
120 V
-
65 V
28 V
4 V
32 V
50 V
125 V
150 V
84 V
36 V
160 V
145 V
48 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
- 10 V to 2 V
-
- 10 V, 2 V
100 V
- 2.7 V
- 10 V to 3 V
145 V
3 V
- 7 V to 2 V
- 8 V, 0 V
- 3 V
- 2.9 V
150 V
- 2.8 V
2.6 V
- 7 V to 1.5 V
2.7 V
Id - Continuous Drain Current
1.4 A
12 A
1 A
14 A
19 A
4.8 A
650 mA
817 mA
4.5 A
1.5 A
0.75 A
10 mA
557 mA
3.2 A
950 mA
0.8 A
18 A
50 mA
28 A
Выходная мощность
34.7 W
120 W
537 W
450 W
37.7 dBm
750 W
112.9 W
10 W
24 W
60 W
45 W
9 W
11 W
40 W
6 W
180 W
4 W
20 W
30 W
Maximum Drain Gate Voltage
48 V
-
50 V
145 V
28 V
65 V
55 V
- 2.9 V
- 2.7 V
Минимальная рабочая температура
- 40 C
-
- 55 C
- 65 C
Максимальная рабочая температура
+ 200 C
+ 150 C
-
+ 85 C
+ 225 C
+ 125 C
+ 90 C
+ 100 C
+ 275 C
+ 250 C
+ 107 C
+ 75 C
+ 130 C
Pd - Power Dissipation
11.6 W
-
714 W
445 W
400 W
12.5 W
28.8 W
56 W
125 mW
15.3 W
150 W
14 W
64 W
21.6 W
35 W
28 W
67 W
288 W
5 W
Вид монтажа
SMD/SMT
Screw Mount
Flange Mount
Package/Case
SOIC-8
QFN-20
440193
NI-200
0.41 mm x 0.34 mm
NI-780
NI-50CW
4.5 mm x 4 mm
0.41 m x 0.34 mm
QFN-48
QFN-8
440166
440109
QFN-EP-16
Die
DFN-12
440223
QFN-24
440196
Packaging
Tray
Cut Tape
Reel
Bulk
MouseReel
Gel Pack
Waffle
Фильтр
Всего результатов:
262
CGH27030F
Описание:
RF JFET Transistors GaN HEMT VHF-3.0GHz, 30 Watt
Производитель:
Wolfspeed
CG2H80015D-GP4
Описание:
RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 15 Watt
Производитель:
Wolfspeed
QPD0060
Описание:
RF JFET Transistors DC-3.6GHz GaN 90W 48V
Производитель:
Qorvo
QPD1015L
Описание:
RF JFET Transistors DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
Производитель:
Qorvo
QPD1010
Описание:
RF JFET Transistors DC-4GHz 10W 28-50V SSG 25dB PAE 70% GaN
Производитель:
Qorvo
QPD1009
Описание:
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-4GHz 15W 28-50V SSG 24dB PAE 72% GaN
Производитель:
Qorvo
GTRA214602FC-V1-R0
Описание:
RF JFET Transistors 490W, GaN HEMT, 48V, 2110-2200MHz, 248pp
Производитель:
Wolfspeed
CMPA9396025S
Описание:
RF JFET Transistors 25W, GaN MMIC Power Amplifier, 40V, 9.3-9.6GHz, QFN, 6x6mm
Производитель:
Wolfspeed
CGH55030F1
Описание:
RF JFET Transistors GaN HEMT 5.5-5.8GHz, 30 Watt
Производитель:
Wolfspeed
A2G26H281-04SR3
Описание:
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 50 W Avg., 48 V
Производитель:
NXP Semiconductors
Всего результатов:
262
1
8
9
10