Интернет-магазин
электронных компонентов
ЗАПРОС
Категории
Корзины
Заказы
Оплата и доставка
Контакты
8 800 533-88-70
Поиск по компоненту
RUS
Войти
...
/
Главная
/
Все категории
/
Полупроводниковые компоненты
/
Модули беспроводной связи и РЧ полупроводники
/
Транзисторы РЧ
/
Транзисторы полевые с управляющим переходом
Транзисторы полевые с управляющим переходом
Подкатегории
Фильтры
Применить
Всего результатов:
262
Manufacturer
MACOM
Qorvo
Wolfspeed
CEL
NXP
Central Semiconductor
Skyworks
Transistor Type
HEMT
pHEMT
JFET
Technology
GaN-on-Si
GaN-on-SiC
GaN
GaAs
Si
Рабочая частота
6 GHz
DC to 6 GHz
1 GHz to 2.5 GHz
DC to 1.7 GHz
1.2 GHz to 1.4 GHz
2.5 GHz to 5 GHz
5 GHz to 5.9 GHz
30 MHz to 1.215 GHz
2.7 GHz
2 GHz to 4 GHz
2 GHz to 6 GHz
0.03 GHz to 3 GHz
4.5 GHz to 6 GHz
18 GHz
10 MHz to 18 GHz
DC to 1000 MHz
910 MHz
3.7 GHz
DC to 4 GHz
Gain
16 dB
16.7 dB
19 dB
14 dB
18 dB
17.8 dB
18.6 dB
13 dB
19.8 dB
21.4 dB
15 dB
16.5 dB
17.1 dB
12 dB
17 dB
20.3 dB
9 dB
21 dB
18.5 dB
Transistor Polarity
N-Channel
P-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
100 V
120 V
-
65 V
28 V
4 V
32 V
50 V
125 V
150 V
84 V
36 V
160 V
145 V
48 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
- 10 V to 2 V
-
- 10 V, 2 V
100 V
- 2.7 V
- 10 V to 3 V
145 V
3 V
- 7 V to 2 V
- 8 V, 0 V
- 3 V
- 2.9 V
150 V
- 2.8 V
2.6 V
- 7 V to 1.5 V
2.7 V
Id - Continuous Drain Current
1.4 A
12 A
1 A
14 A
19 A
4.8 A
650 mA
817 mA
4.5 A
1.5 A
0.75 A
10 mA
557 mA
3.2 A
950 mA
0.8 A
18 A
50 mA
28 A
Выходная мощность
34.7 W
120 W
537 W
450 W
37.7 dBm
750 W
112.9 W
10 W
24 W
60 W
45 W
9 W
11 W
40 W
6 W
180 W
4 W
20 W
30 W
Maximum Drain Gate Voltage
48 V
-
50 V
145 V
28 V
65 V
55 V
- 2.9 V
- 2.7 V
Минимальная рабочая температура
- 40 C
-
- 55 C
- 65 C
Максимальная рабочая температура
+ 200 C
+ 150 C
-
+ 85 C
+ 225 C
+ 125 C
+ 90 C
+ 100 C
+ 275 C
+ 250 C
+ 107 C
+ 75 C
+ 130 C
Pd - Power Dissipation
11.6 W
-
714 W
445 W
400 W
12.5 W
28.8 W
56 W
125 mW
15.3 W
150 W
14 W
64 W
21.6 W
35 W
28 W
67 W
288 W
5 W
Вид монтажа
SMD/SMT
Screw Mount
Flange Mount
Package/Case
SOIC-8
QFN-20
440193
NI-200
0.41 mm x 0.34 mm
NI-780
NI-50CW
4.5 mm x 4 mm
0.41 m x 0.34 mm
QFN-48
QFN-8
440166
440109
QFN-EP-16
Die
DFN-12
440223
QFN-24
440196
Packaging
Tray
Cut Tape
Reel
Bulk
MouseReel
Gel Pack
Waffle
Фильтр
Всего результатов:
262
CMPA2935150S
Описание:
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 150W, GaN MMIC Power Amplifier, 50V, 2.9-3.5GHz, QFN, 7x7mm
Производитель:
Wolfspeed
CGH40045P
Описание:
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 45W, GaN HEMT, 28V, DC-4.0GHz, Pill
Производитель:
Wolfspeed
CMPA2735015S
Описание:
RF JFET Transistors 25W, GaN MMIC Power Amplifier, 28V, 2.5-6.0GHz, Flange
Производитель:
Wolfspeed
QPD1022
Описание:
RF JFET Transistors DC-12 GHz, 10W, 32V GaN RF Tr
Производитель:
Qorvo
CMPA901A020S
Описание:
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 20W, GaN MMIC Power Amplifier, 28V, 9.0-10.0GHz, QFN, 6x6mm
Производитель:
Wolfspeed
CMPA2738060F
Описание:
RF JFET Transistors 60W, GaN MMIC Power Amplifier, 50V, 2.7-3.8GHz, Flange
Производитель:
Wolfspeed
NPT1012B
Описание:
RF JFET Transistors DC-4.0GHz P1dB 43dBm Gain 13dB GaN
Производитель:
MACOM
T1G2028536-FS
Описание:
RF JFET Transistors DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN
Производитель:
Qorvo
QPD0050TR7
Описание:
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-3.6GHz GaN 75W 48V
Производитель:
Qorvo
GTVA262701FA-V2-R2
Описание:
RF JFET Transistors 270W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz
Производитель:
Wolfspeed
Всего результатов:
262
1
9
10
11