Интернет-магазин
электронных компонентов
ЗАПРОС
Категории
Корзины
Заказы
Оплата и доставка
Контакты
8 800 533-88-70
Поиск по компоненту
RUS
Войти
...
/
Главная
/
Все категории
/
Полупроводниковые компоненты
/
Транзисторы
/
Транзисторы полевые
/
Транзисторы полевые с управляющим переходом
Транзисторы полевые с управляющим переходом
Подкатегории
Фильтры
Применить
Всего результатов:
263
Manufacturer
Qorvo
Wolfspeed
CEL
MACOM
NXP
Central Semiconductor
Skyworks
Transistor Type
pHEMT
HEMT
JFET
Technology
GaAs
GaN-on-SiC
GaN
GaN-on-Si
Si
Рабочая частота
DC to 1.7 GHz
1.2 GHz to 1.4 GHz
2620 MHz to 2690 MHz
0.03 GHz to 3 GHz
DC to 6 GHz
3.7 GHz
30 MHz to 1.215 GHz
2.5 GHz to 5 GHz
1 GHz to 2.5 GHz
6 GHz
2.62 GHz to 2.69 GHz
3400 MHz to 3600 MHz
2.7 GHz
5 GHz to 5.9 GHz
2 GHz to 4 GHz
2 GHz to 6 GHz
4.5 GHz to 6 GHz
18 GHz
10 MHz to 18 GHz
Gain
13 dB
18 dB
19.8 dB
17.1 dB
16.5 dB
17.8 dB
20 dB
19 dB
18.6 dB
17 dB
16 dB
14 dB
16.7 dB
15 dB
21.4 dB
12 dB
20.3 dB
9 dB
21 dB
Transistor Polarity
P-Channel
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
-
65 V
125 V
32 V
120 V
50 V
28 V
150 V
100 V
4 V
84 V
36 V
160 V
145 V
48 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
-
- 10 V to 2 V
- 2.7 V
- 10 V, 2 V
145 V
100 V
- 10 V to 3 V
3 V
- 7 V to 2 V
- 8 V, 0 V
- 3 V
- 2.9 V
150 V
- 2.8 V
2.6 V
- 7 V to 1.5 V
2.7 V
Id - Continuous Drain Current
1 A
19 A
12 A
557 mA
1.5 A
14 A
2.5 A
817 mA
7.5 A
1.4 A
-
8.1 A
10 mA
650 mA
4.8 A
4.5 A
0.75 A
3.2 A
950 mA
Выходная мощность
537 W
750 W
300 W
11 W
10 W
450 W
70 W
24 W
37.7 dBm
170 W
120 W
34.7 W
200 W
400 W
60 W
112.9 W
45 W
9 W
40 W
Maximum Drain Gate Voltage
50 V
-
145 V
48 V
28 V
65 V
55 V
- 2.9 V
- 2.7 V
Минимальная рабочая температура
-
- 40 C
- 55 C
- 65 C
Максимальная рабочая температура
-
+ 85 C
+ 225 C
+ 150 C
+ 200 C
+ 125 C
+ 90 C
+ 100 C
+ 275 C
+ 250 C
+ 107 C
+ 75 C
+ 130 C
Pd - Power Dissipation
714 W
400 W
-
15.3 W
445 W
64 W
28.8 W
11.6 W
56 W
125 mW
12.5 W
150 W
14 W
21.6 W
35 W
28 W
67 W
288 W
5 W
Вид монтажа
Flange Mount
SMD/SMT
Screw Mount
Package/Case
0.41 m x 0.34 mm
NI-200
NI-780
H-87265J-2
QFN-EP-16
Die
440166
NI-50CW
NI-360
QFN-8
4.5 mm x 4 mm
H-37265J-2
440193
SOIC-8
0.41 mm x 0.34 mm
QFN-20
NI400-2
H-37248C-4
QFN-48
Packaging
Reel
Tray
Gel Pack
Bulk
Cut Tape
MouseReel
Waffle
Фильтр
Всего результатов:
263
CMPA9396025S
Описание:
RF JFET Transistors 25W, GaN MMIC Power Amplifier, 40V, 9.3-9.6GHz, QFN, 6x6mm
Производитель:
Wolfspeed
Жизненый цикл:
Неизвестно
Поставщик:
Все поставщики
Доставка:
Итого:
CGH55030F1
Описание:
RF JFET Transistors GaN HEMT 5.5-5.8GHz, 30 Watt
Производитель:
Wolfspeed
Жизненый цикл:
Неизвестно
Поставщик:
Все поставщики
Доставка:
Итого:
A2G26H281-04SR3
Описание:
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 50 W Avg., 48 V
Производитель:
NXP Semiconductors
Жизненый цикл:
Неизвестно
Поставщик:
Все поставщики
Доставка:
Итого:
CMPA2935150S
Описание:
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 150W, GaN MMIC Power Amplifier, 50V, 2.9-3.5GHz, QFN, 7x7mm
Производитель:
Wolfspeed
Жизненый цикл:
Неизвестно
Поставщик:
Все поставщики
Доставка:
Итого:
CGH40045P
Описание:
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 45W, GaN HEMT, 28V, DC-4.0GHz, Pill
Производитель:
Wolfspeed
Жизненый цикл:
Неизвестно
Поставщик:
Все поставщики
Доставка:
Итого:
CMPA2735015S
Описание:
RF JFET Transistors 25W, GaN MMIC Power Amplifier, 28V, 2.5-6.0GHz, Flange
Производитель:
Wolfspeed
Жизненый цикл:
Неизвестно
Поставщик:
Все поставщики
Доставка:
Итого:
QPD1022
Описание:
RF JFET Transistors DC-12 GHz, 10W, 32V GaN RF Tr
Производитель:
Qorvo
Жизненый цикл:
Неизвестно
Поставщик:
Все поставщики
Доставка:
Итого:
CMPA901A020S
Описание:
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 20W, GaN MMIC Power Amplifier, 28V, 9.0-10.0GHz, QFN, 6x6mm
Производитель:
Wolfspeed
Жизненый цикл:
Неизвестно
Поставщик:
Все поставщики
Доставка:
Итого:
CMPA2738060F
Описание:
RF JFET Transistors 60W, GaN MMIC Power Amplifier, 50V, 2.7-3.8GHz, Flange
Производитель:
Wolfspeed
Жизненый цикл:
Неизвестно
Поставщик:
Все поставщики
Доставка:
Итого:
NPT1012B
Описание:
RF JFET Transistors DC-4.0GHz P1dB 43dBm Gain 13dB GaN
Производитель:
MACOM
Жизненый цикл:
Неизвестно
Поставщик:
Все поставщики
Доставка:
Итого:
Всего результатов:
263
1
9
10
11