Интернет-магазин
электронных компонентов
ЗАПРОС
Категории
Корзины
Заказы
Оплата и доставка
Контакты
order@tablo.top
Поиск по компоненту
RUS
Войти
...
/
Главная
/
Все категории
/
Полупроводниковые компоненты
/
Транзисторы
/
Транзисторы полевые
/
Транзисторы полевые с управляющим переходом
Транзисторы полевые с управляющим переходом
Подкатегории
Фильтры
Применить
Всего результатов:
263
Manufacturer
MACOM
Qorvo
Wolfspeed
CEL
NXP
Central Semiconductor
Skyworks
Transistor Type
HEMT
pHEMT
JFET
Technology
GaN-on-Si
GaN-on-SiC
GaN
GaAs
Si
Рабочая частота
6 GHz
DC to 6 GHz
1 GHz to 2.5 GHz
DC to 1.7 GHz
1.2 GHz to 1.4 GHz
2.5 GHz to 5 GHz
5 GHz to 5.9 GHz
30 MHz to 1.215 GHz
2.7 GHz
2 GHz to 4 GHz
2 GHz to 6 GHz
0.03 GHz to 3 GHz
4.5 GHz to 6 GHz
18 GHz
10 MHz to 18 GHz
DC to 1000 MHz
910 MHz
3.7 GHz
DC to 4 GHz
Gain
16 dB
16.7 dB
19 dB
14 dB
18 dB
17.8 dB
18.6 dB
13 dB
19.8 dB
21.4 dB
15 dB
16.5 dB
17.1 dB
12 dB
17 dB
20.3 dB
9 dB
21 dB
18.5 dB
Transistor Polarity
N-Channel
P-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
100 V
120 V
-
65 V
28 V
4 V
32 V
50 V
125 V
150 V
84 V
36 V
160 V
145 V
48 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
- 10 V to 2 V
-
- 10 V, 2 V
100 V
- 2.7 V
- 10 V to 3 V
145 V
3 V
- 7 V to 2 V
- 8 V, 0 V
- 3 V
- 2.9 V
150 V
- 2.8 V
2.6 V
- 7 V to 1.5 V
2.7 V
Id - Continuous Drain Current
1.4 A
12 A
1 A
14 A
19 A
4.8 A
650 mA
817 mA
4.5 A
1.5 A
0.75 A
10 mA
557 mA
3.2 A
950 mA
0.8 A
18 A
50 mA
28 A
Выходная мощность
34.7 W
120 W
537 W
450 W
37.7 dBm
750 W
112.9 W
10 W
24 W
60 W
45 W
9 W
11 W
40 W
6 W
180 W
4 W
20 W
30 W
Maximum Drain Gate Voltage
48 V
-
50 V
145 V
28 V
65 V
55 V
- 2.9 V
- 2.7 V
Минимальная рабочая температура
- 40 C
-
- 55 C
- 65 C
Максимальная рабочая температура
+ 200 C
+ 150 C
-
+ 85 C
+ 225 C
+ 125 C
+ 90 C
+ 100 C
+ 275 C
+ 250 C
+ 107 C
+ 75 C
+ 130 C
Pd - Power Dissipation
11.6 W
-
714 W
445 W
400 W
12.5 W
28.8 W
56 W
125 mW
15.3 W
150 W
14 W
64 W
21.6 W
35 W
28 W
67 W
288 W
5 W
Вид монтажа
SMD/SMT
Screw Mount
Flange Mount
Package/Case
SOIC-8
QFN-20
440193
NI-200
0.41 mm x 0.34 mm
NI-780
NI-50CW
4.5 mm x 4 mm
0.41 m x 0.34 mm
QFN-48
QFN-8
440166
440109
QFN-EP-16
Die
DFN-12
440223
QFN-24
440196
Packaging
Tray
Cut Tape
Reel
Bulk
MouseReel
Gel Pack
Waffle
Фильтр
Всего результатов:
263
NPT2018
Описание:
RF JFET Transistors Transistor, 48V 12W DC-4GHz HEMT
Производитель:
MACOM
Жизненый цикл:
Неизвестно
Поставщик:
Все поставщики
Доставка:
Итого:
QPD1014
Описание:
RF JFET Transistors 0.03-1.2GHz,15W,50V,GaN RF I/P-Mtchd Tr
Производитель:
Qorvo
Жизненый цикл:
Неизвестно
Поставщик:
Все поставщики
Доставка:
Итого:
CGH60030D-GP4
Описание:
RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 30 Watt
Производитель:
Wolfspeed
Жизненый цикл:
Неизвестно
Поставщик:
Все поставщики
Доставка:
Итого:
QPD1000SR
Описание:
RF JFET Transistors .03-1.215GHz,15W,28V GaN RF I/P-Mtchd T
Производитель:
Qorvo
Жизненый цикл:
Неизвестно
Поставщик:
Все поставщики
Доставка:
Итого:
NPT2021
Описание:
RF JFET Transistors DC-2.5GHz 45W Gain 16.5dB GaN HEMT
Производитель:
MACOM
Жизненый цикл:
Неизвестно
Поставщик:
Все поставщики
Доставка:
Итого:
T2G6000528-Q3 28V
Описание:
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-6.0GHz 10 Watt 28V GaN
Производитель:
Qorvo
Жизненый цикл:
Неизвестно
Поставщик:
Все поставщики
Доставка:
Итого:
QPD0005TR13
Описание:
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 3.3-3.8GHz 5W 50V GaN Transistor
Производитель:
Qorvo
Жизненый цикл:
Неизвестно
Поставщик:
Все поставщики
Доставка:
Итого:
QPD1881L
Описание:
RF JFET Transistors 2.7-2.9 GHz, 400W,50V,GaN RF Pwr Tr
Производитель:
Qorvo
Жизненый цикл:
Неизвестно
Поставщик:
Все поставщики
Доставка:
Итого:
CGH60008D-GP4
Описание:
RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 8 Watt
Производитель:
Wolfspeed
Жизненый цикл:
Неизвестно
Поставщик:
Все поставщики
Доставка:
Итого:
NPTB00025B
Описание:
RF JFET Transistors DC-4.0GHz 25W Gain 13.5dB GaN HEMT
Производитель:
MACOM
Жизненый цикл:
Неизвестно
Поставщик:
Все поставщики
Доставка:
Итого:
Всего результатов:
263
1
7
8
9