Интернет-магазин
электронных компонентов
ЗАПРОС
Категории
Корзины
Заказы
Оплата и доставка
Контакты
8 800 533-88-70
Поиск по компоненту
RUS
Войти
...
/
Главная
/
Все категории
/
Полупроводниковые компоненты
/
Транзисторы
/
Транзисторы полевые
/
Транзисторы полевые с управляющим переходом
Транзисторы полевые с управляющим переходом
Подкатегории
Фильтры
Применить
Всего результатов:
263
Manufacturer
Qorvo
Wolfspeed
CEL
MACOM
NXP
Central Semiconductor
Skyworks
Transistor Type
pHEMT
HEMT
JFET
Technology
GaAs
GaN-on-SiC
GaN
GaN-on-Si
Si
Рабочая частота
DC to 1.7 GHz
1.2 GHz to 1.4 GHz
2620 MHz to 2690 MHz
0.03 GHz to 3 GHz
DC to 6 GHz
3.7 GHz
30 MHz to 1.215 GHz
2.5 GHz to 5 GHz
1 GHz to 2.5 GHz
6 GHz
2.62 GHz to 2.69 GHz
3400 MHz to 3600 MHz
2.7 GHz
5 GHz to 5.9 GHz
2 GHz to 4 GHz
2 GHz to 6 GHz
4.5 GHz to 6 GHz
18 GHz
10 MHz to 18 GHz
Gain
13 dB
18 dB
19.8 dB
17.1 dB
16.5 dB
17.8 dB
20 dB
19 dB
18.6 dB
17 dB
16 dB
14 dB
16.7 dB
15 dB
21.4 dB
12 dB
20.3 dB
9 dB
21 dB
Transistor Polarity
P-Channel
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
-
65 V
125 V
32 V
120 V
50 V
28 V
150 V
100 V
4 V
84 V
36 V
160 V
145 V
48 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
-
- 10 V to 2 V
- 2.7 V
- 10 V, 2 V
145 V
100 V
- 10 V to 3 V
3 V
- 7 V to 2 V
- 8 V, 0 V
- 3 V
- 2.9 V
150 V
- 2.8 V
2.6 V
- 7 V to 1.5 V
2.7 V
Id - Continuous Drain Current
1 A
19 A
12 A
557 mA
1.5 A
14 A
2.5 A
817 mA
7.5 A
1.4 A
-
8.1 A
10 mA
650 mA
4.8 A
4.5 A
0.75 A
3.2 A
950 mA
Выходная мощность
537 W
750 W
300 W
11 W
10 W
450 W
70 W
24 W
37.7 dBm
170 W
120 W
34.7 W
200 W
400 W
60 W
112.9 W
45 W
9 W
40 W
Maximum Drain Gate Voltage
50 V
-
145 V
48 V
28 V
65 V
55 V
- 2.9 V
- 2.7 V
Минимальная рабочая температура
-
- 40 C
- 55 C
- 65 C
Максимальная рабочая температура
-
+ 85 C
+ 225 C
+ 150 C
+ 200 C
+ 125 C
+ 90 C
+ 100 C
+ 275 C
+ 250 C
+ 107 C
+ 75 C
+ 130 C
Pd - Power Dissipation
714 W
400 W
-
15.3 W
445 W
64 W
28.8 W
11.6 W
56 W
125 mW
12.5 W
150 W
14 W
21.6 W
35 W
28 W
67 W
288 W
5 W
Вид монтажа
Flange Mount
SMD/SMT
Screw Mount
Package/Case
0.41 m x 0.34 mm
NI-200
NI-780
H-87265J-2
QFN-EP-16
Die
440166
NI-50CW
NI-360
QFN-8
4.5 mm x 4 mm
H-37265J-2
440193
SOIC-8
0.41 mm x 0.34 mm
QFN-20
NI400-2
H-37248C-4
QFN-48
Packaging
Reel
Tray
Gel Pack
Bulk
Cut Tape
MouseReel
Waffle
Фильтр
Всего результатов:
263
NPT2018
Описание:
RF JFET Transistors Transistor, 48V 12W DC-4GHz HEMT
Производитель:
MACOM
Жизненый цикл:
Неизвестно
Поставщик:
Все поставщики
Доставка:
Итого:
QPD1014
Описание:
RF JFET Transistors 0.03-1.2GHz,15W,50V,GaN RF I/P-Mtchd Tr
Производитель:
Qorvo
Жизненый цикл:
Неизвестно
Поставщик:
Все поставщики
Доставка:
Итого:
CGH60030D-GP4
Описание:
RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 30 Watt
Производитель:
Wolfspeed
Жизненый цикл:
Неизвестно
Поставщик:
Все поставщики
Доставка:
Итого:
QPD1000SR
Описание:
RF JFET Transistors .03-1.215GHz,15W,28V GaN RF I/P-Mtchd T
Производитель:
Qorvo
Жизненый цикл:
Неизвестно
Поставщик:
Все поставщики
Доставка:
Итого:
NPT2021
Описание:
RF JFET Transistors DC-2.5GHz 45W Gain 16.5dB GaN HEMT
Производитель:
MACOM
Жизненый цикл:
Неизвестно
Поставщик:
Все поставщики
Доставка:
Итого:
T2G6000528-Q3 28V
Описание:
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-6.0GHz 10 Watt 28V GaN
Производитель:
Qorvo
Жизненый цикл:
Неизвестно
Поставщик:
Все поставщики
Доставка:
Итого:
QPD0005TR13
Описание:
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 3.3-3.8GHz 5W 50V GaN Transistor
Производитель:
Qorvo
Жизненый цикл:
Неизвестно
Поставщик:
Все поставщики
Доставка:
Итого:
QPD1881L
Описание:
RF JFET Transistors 2.7-2.9 GHz, 400W,50V,GaN RF Pwr Tr
Производитель:
Qorvo
Жизненый цикл:
Неизвестно
Поставщик:
Все поставщики
Доставка:
Итого:
CGH60008D-GP4
Описание:
RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 8 Watt
Производитель:
Wolfspeed
Жизненый цикл:
Неизвестно
Поставщик:
Все поставщики
Доставка:
Итого:
NPTB00025B
Описание:
RF JFET Transistors DC-4.0GHz 25W Gain 13.5dB GaN HEMT
Производитель:
MACOM
Жизненый цикл:
Неизвестно
Поставщик:
Все поставщики
Доставка:
Итого:
Всего результатов:
263
1
7
8
9