Интернет-магазин
электронных компонентов
ЗАПРОС
Категории
Корзины
Заказы
Оплата и доставка
Контакты
8 800 533-88-70
Поиск по компоненту
RUS
Войти
...
/
Главная
/
Все категории
/
Полупроводниковые компоненты
/
Модули беспроводной связи и РЧ полупроводники
/
Транзисторы РЧ
/
Транзисторы полевые с управляющим переходом
Транзисторы полевые с управляющим переходом
Подкатегории
Фильтры
Применить
Всего результатов:
262
Manufacturer
MACOM
Qorvo
Wolfspeed
CEL
NXP
Central Semiconductor
Skyworks
Transistor Type
HEMT
pHEMT
JFET
Technology
GaN-on-Si
GaN-on-SiC
GaN
GaAs
Si
Рабочая частота
6 GHz
DC to 6 GHz
1 GHz to 2.5 GHz
DC to 1.7 GHz
1.2 GHz to 1.4 GHz
2.5 GHz to 5 GHz
5 GHz to 5.9 GHz
30 MHz to 1.215 GHz
2.7 GHz
2 GHz to 4 GHz
2 GHz to 6 GHz
0.03 GHz to 3 GHz
4.5 GHz to 6 GHz
18 GHz
10 MHz to 18 GHz
DC to 1000 MHz
910 MHz
3.7 GHz
DC to 4 GHz
Gain
16 dB
16.7 dB
19 dB
14 dB
18 dB
17.8 dB
18.6 dB
13 dB
19.8 dB
21.4 dB
15 dB
16.5 dB
17.1 dB
12 dB
17 dB
20.3 dB
9 dB
21 dB
18.5 dB
Transistor Polarity
N-Channel
P-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
100 V
120 V
-
65 V
28 V
4 V
32 V
50 V
125 V
150 V
84 V
36 V
160 V
145 V
48 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
- 10 V to 2 V
-
- 10 V, 2 V
100 V
- 2.7 V
- 10 V to 3 V
145 V
3 V
- 7 V to 2 V
- 8 V, 0 V
- 3 V
- 2.9 V
150 V
- 2.8 V
2.6 V
- 7 V to 1.5 V
2.7 V
Id - Continuous Drain Current
1.4 A
12 A
1 A
14 A
19 A
4.8 A
650 mA
817 mA
4.5 A
1.5 A
0.75 A
10 mA
557 mA
3.2 A
950 mA
0.8 A
18 A
50 mA
28 A
Выходная мощность
34.7 W
120 W
537 W
450 W
37.7 dBm
750 W
112.9 W
10 W
24 W
60 W
45 W
9 W
11 W
40 W
6 W
180 W
4 W
20 W
30 W
Maximum Drain Gate Voltage
48 V
-
50 V
145 V
28 V
65 V
55 V
- 2.9 V
- 2.7 V
Минимальная рабочая температура
- 40 C
-
- 55 C
- 65 C
Максимальная рабочая температура
+ 200 C
+ 150 C
-
+ 85 C
+ 225 C
+ 125 C
+ 90 C
+ 100 C
+ 275 C
+ 250 C
+ 107 C
+ 75 C
+ 130 C
Pd - Power Dissipation
11.6 W
-
714 W
445 W
400 W
12.5 W
28.8 W
56 W
125 mW
15.3 W
150 W
14 W
64 W
21.6 W
35 W
28 W
67 W
288 W
5 W
Вид монтажа
SMD/SMT
Screw Mount
Flange Mount
Package/Case
SOIC-8
QFN-20
440193
NI-200
0.41 mm x 0.34 mm
NI-780
NI-50CW
4.5 mm x 4 mm
0.41 m x 0.34 mm
QFN-48
QFN-8
440166
440109
QFN-EP-16
Die
DFN-12
440223
QFN-24
440196
Packaging
Tray
Cut Tape
Reel
Bulk
MouseReel
Gel Pack
Waffle
Фильтр
Всего результатов:
262
QPD1000SR
Описание:
RF JFET Transistors .03-1.215GHz,15W,28V GaN RF I/P-Mtchd T
Производитель:
Qorvo
NPT2021
Описание:
RF JFET Transistors DC-2.5GHz 45W Gain 16.5dB GaN HEMT
Производитель:
MACOM
T2G6000528-Q3 28V
Описание:
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-6.0GHz 10 Watt 28V GaN
Производитель:
Qorvo
QPD0005TR13
Описание:
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 3.3-3.8GHz 5W 50V GaN Transistor
Производитель:
Qorvo
QPD1881L
Описание:
RF JFET Transistors 2.7-2.9 GHz, 400W,50V,GaN RF Pwr Tr
Производитель:
Qorvo
CGH60008D-GP4
Описание:
RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 8 Watt
Производитель:
Wolfspeed
NPTB00025B
Описание:
RF JFET Transistors DC-4.0GHz 25W Gain 13.5dB GaN HEMT
Производитель:
MACOM
CGH27015F
Описание:
RF JFET Transistors GaN HEMT VHF-3.0GHz, 15 Watt
Производитель:
Wolfspeed
CG2H80030D-GP4
Описание:
RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 30 Watt
Производитель:
Wolfspeed
CGH40180PP
Описание:
RF JFET Transistors GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt
Производитель:
Wolfspeed
Всего результатов:
262
1
7
8
9