Интернет-магазин
электронных компонентов
ЗАПРОС
Категории
Корзины
Заказы
Оплата и доставка
Контакты
8 800 533-88-70
Поиск по компоненту
RUS
Войти
...
/
Главная
/
Все категории
/
Полупроводниковые компоненты
/
Модули беспроводной связи и РЧ полупроводники
/
Транзисторы РЧ
/
Транзисторы полевые с управляющим переходом
Транзисторы полевые с управляющим переходом
Подкатегории
Фильтры
Применить
Всего результатов:
262
Manufacturer
MACOM
Qorvo
Wolfspeed
CEL
NXP
Central Semiconductor
Skyworks
Transistor Type
HEMT
pHEMT
JFET
Technology
GaN-on-Si
GaN-on-SiC
GaN
GaAs
Si
Рабочая частота
6 GHz
DC to 6 GHz
1 GHz to 2.5 GHz
DC to 1.7 GHz
1.2 GHz to 1.4 GHz
2.5 GHz to 5 GHz
5 GHz to 5.9 GHz
30 MHz to 1.215 GHz
2.7 GHz
2 GHz to 4 GHz
2 GHz to 6 GHz
0.03 GHz to 3 GHz
4.5 GHz to 6 GHz
18 GHz
10 MHz to 18 GHz
DC to 1000 MHz
910 MHz
3.7 GHz
DC to 4 GHz
Gain
16 dB
16.7 dB
19 dB
14 dB
18 dB
17.8 dB
18.6 dB
13 dB
19.8 dB
21.4 dB
15 dB
16.5 dB
17.1 dB
12 dB
17 dB
20.3 dB
9 dB
21 dB
18.5 dB
Transistor Polarity
N-Channel
P-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
100 V
120 V
-
65 V
28 V
4 V
32 V
50 V
125 V
150 V
84 V
36 V
160 V
145 V
48 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
- 10 V to 2 V
-
- 10 V, 2 V
100 V
- 2.7 V
- 10 V to 3 V
145 V
3 V
- 7 V to 2 V
- 8 V, 0 V
- 3 V
- 2.9 V
150 V
- 2.8 V
2.6 V
- 7 V to 1.5 V
2.7 V
Id - Continuous Drain Current
1.4 A
12 A
1 A
14 A
19 A
4.8 A
650 mA
817 mA
4.5 A
1.5 A
0.75 A
10 mA
557 mA
3.2 A
950 mA
0.8 A
18 A
50 mA
28 A
Выходная мощность
34.7 W
120 W
537 W
450 W
37.7 dBm
750 W
112.9 W
10 W
24 W
60 W
45 W
9 W
11 W
40 W
6 W
180 W
4 W
20 W
30 W
Maximum Drain Gate Voltage
48 V
-
50 V
145 V
28 V
65 V
55 V
- 2.9 V
- 2.7 V
Минимальная рабочая температура
- 40 C
-
- 55 C
- 65 C
Максимальная рабочая температура
+ 200 C
+ 150 C
-
+ 85 C
+ 225 C
+ 125 C
+ 90 C
+ 100 C
+ 275 C
+ 250 C
+ 107 C
+ 75 C
+ 130 C
Pd - Power Dissipation
11.6 W
-
714 W
445 W
400 W
12.5 W
28.8 W
56 W
125 mW
15.3 W
150 W
14 W
64 W
21.6 W
35 W
28 W
67 W
288 W
5 W
Вид монтажа
SMD/SMT
Screw Mount
Flange Mount
Package/Case
SOIC-8
QFN-20
440193
NI-200
0.41 mm x 0.34 mm
NI-780
NI-50CW
4.5 mm x 4 mm
0.41 m x 0.34 mm
QFN-48
QFN-8
440166
440109
QFN-EP-16
Die
DFN-12
440223
QFN-24
440196
Packaging
Tray
Cut Tape
Reel
Bulk
MouseReel
Gel Pack
Waffle
Фильтр
Всего результатов:
262
CGH27060F
Описание:
RF JFET Transistors GaN HEMT VHF-3.0GHz, 60 Watt
Производитель:
Wolfspeed
CMPA0060025F1
Описание:
RF JFET Transistors 25W, GaN MMIC Power Amplifier, 50V, 0.02-6.0GHz, Flange
Производитель:
Wolfspeed
QPD2080D
Описание:
RF JFET Transistors 0.80mm Pwr pHEMT
Производитель:
Qorvo
CGH27015P
Описание:
RF JFET Transistors 15W, GaN HEMT, 28V, DC-6.0GHz, Pill
Производитель:
Wolfspeed
CGH40035F
Описание:
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-4.0GHz, 35 Watt
Производитель:
Wolfspeed
CG2H40010F
Описание:
RF JFET Transistors GaN HEMT DC-8.0GHz, 10 Watt
Производитель:
Wolfspeed
CGH40006P
Описание:
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
Производитель:
Wolfspeed
CE3520K3
Описание:
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C
Производитель:
CEL
CE3514M4
Описание:
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C
Производитель:
CEL
CE3512K2
Описание:
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
Производитель:
CEL
Всего результатов:
262
1
2
3
4