Интернет-магазин
электронных компонентов
ЗАПРОС
Категории
Корзины
Заказы
Оплата и доставка
Контакты
8 800 533-88-70
Поиск по компоненту
RUS
Войти
...
/
Главная
/
Все категории
/
Полупроводниковые компоненты
/
Транзисторы
/
Транзисторы полевые с управляющим переходом
Транзисторы полевые с управляющим переходом
Подкатегории
Фильтры
Применить
Всего результатов:
263
Manufacturer
Qorvo
Wolfspeed
MACOM
CEL
NXP
Central Semiconductor
Skyworks
Transistor Type
HEMT
pHEMT
JFET
Technology
GaN-on-SiC
GaAs
GaN
GaN-on-Si
Si
Рабочая частота
DC to 6 GHz
1.2 GHz to 1.4 GHz
2.5 GHz to 5 GHz
2.7 GHz
5 GHz to 5.9 GHz
1 GHz to 2.5 GHz
DC to 1.7 GHz
6 GHz
30 MHz to 1.215 GHz
2 GHz to 4 GHz
2 GHz to 6 GHz
0.03 GHz to 3 GHz
4.5 GHz to 6 GHz
18 GHz
10 MHz to 18 GHz
DC to 1000 MHz
910 MHz
3.7 GHz
DC to 4 GHz
Gain
15 dB
19.8 dB
13 dB
18.6 dB
14 dB
21.4 dB
19 dB
18 dB
17.8 dB
16 dB
16.7 dB
16.5 dB
17.1 dB
12 dB
17 dB
20.3 dB
9 dB
21 dB
18.5 dB
Transistor Polarity
N-Channel
P-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
-
65 V
120 V
100 V
28 V
4 V
32 V
50 V
125 V
150 V
84 V
36 V
160 V
145 V
48 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
-
- 10 V, 2 V
- 10 V to 2 V
100 V
- 2.7 V
- 10 V to 3 V
145 V
3 V
- 7 V to 2 V
- 8 V, 0 V
- 3 V
- 2.9 V
150 V
- 2.8 V
2.6 V
- 7 V to 1.5 V
2.7 V
Id - Continuous Drain Current
650 mA
19 A
14 A
4.8 A
12 A
1 A
1.4 A
817 mA
4.5 A
1.5 A
0.75 A
10 mA
557 mA
3.2 A
950 mA
0.8 A
18 A
50 mA
28 A
Выходная мощность
10 W
750 W
37.7 dBm
60 W
112.9 W
120 W
537 W
450 W
34.7 W
24 W
45 W
9 W
11 W
40 W
6 W
180 W
4 W
20 W
30 W
Maximum Drain Gate Voltage
-
50 V
145 V
48 V
28 V
65 V
55 V
- 2.9 V
- 2.7 V
Минимальная рабочая температура
- 40 C
-
- 55 C
- 65 C
Максимальная рабочая температура
+ 85 C
+ 150 C
+ 225 C
-
+ 200 C
+ 125 C
+ 90 C
+ 100 C
+ 275 C
+ 250 C
+ 107 C
+ 75 C
+ 130 C
Pd - Power Dissipation
12.5 W
400 W
56 W
-
714 W
445 W
11.6 W
28.8 W
125 mW
15.3 W
150 W
14 W
64 W
21.6 W
35 W
28 W
67 W
288 W
5 W
Вид монтажа
SMD/SMT
Screw Mount
Flange Mount
Package/Case
NI-200
NI-780
0.41 m x 0.34 mm
4.5 mm x 4 mm
440193
QFN-48
NI-50CW
SOIC-8
QFN-20
0.41 mm x 0.34 mm
QFN-8
440166
440109
QFN-EP-16
Die
DFN-12
440223
QFN-24
440196
Packaging
Tray
Reel
Cut Tape
Bulk
MouseReel
Gel Pack
Waffle
Фильтр
Всего результатов:
263
CMPA0060025F1
Описание:
RF JFET Transistors 25W, GaN MMIC Power Amplifier, 50V, 0.02-6.0GHz, Flange
Производитель:
Wolfspeed
Жизненый цикл:
Поставщик:
Все поставщики
Страна:
Доставка:
Итого:
T2G6003028-FL
Описание:
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flanged
Производитель:
Qorvo
Жизненый цикл:
Поставщик:
Все поставщики
Страна:
Доставка:
Итого:
CGH40120F
Описание:
RF JFET Transistors GaN HEMT DC-2.5GHz, 120 Watt
Производитель:
Wolfspeed
Жизненый цикл:
Поставщик:
Все поставщики
Страна:
Доставка:
Итого:
CMPA5259080S
Описание:
RF JFET Transistors 80W, GaN MMIC Power Amplifier, 40V, 5.2-5.9GHz, QFN, 7x7mm
Производитель:
Wolfspeed
Жизненый цикл:
Поставщик:
Все поставщики
Страна:
Доставка:
Итого:
QPD2120D
Описание:
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 1.20mm Pwr pHEMT
Производитель:
Qorvo
Жизненый цикл:
Поставщик:
Все поставщики
Страна:
Доставка:
Итого:
QPD1016L
Описание:
RF JFET Transistors DC-1.7 GHz, 500W, 50V, GaN RF Tr
Производитель:
Qorvo
Жизненый цикл:
Поставщик:
Все поставщики
Страна:
Доставка:
Итого:
QPD1006
Описание:
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 450W 50V 1.2-1.4GHz GaN IMFET
Производитель:
Qorvo
Жизненый цикл:
Поставщик:
Все поставщики
Страна:
Доставка:
Итого:
NPTB00004A
Описание:
RF JFET Transistors DC-6.0GHz 5W Gain 16dB GaN HEMT
Производитель:
MACOM
Жизненый цикл:
Поставщик:
Все поставщики
Страна:
Доставка:
Итого:
CG2H40010P
Описание:
RF JFET Transistors 10W, GaN HEMT, 28V, DC-4.0GHz, Pill, Gen2
Производитель:
Wolfspeed
Жизненый цикл:
Поставщик:
Все поставщики
Страна:
Доставка:
Итого:
QPD0020
Описание:
RF JFET Transistors DC-6 GHz, 3 W, 48V GaN RF Pwr Tr
Производитель:
Qorvo
Жизненый цикл:
Поставщик:
Все поставщики
Страна:
Доставка:
Итого:
Всего результатов:
263
1
2
3