RUS
... / Главная / Все категории / Полупроводниковые компоненты /Модули беспроводной связи и РЧ полупроводники /Транзисторы РЧ /
Транзисторы полевые с управляющим переходом
Транзисторы полевые с управляющим переходом
Подкатегории
Фильтры
Всего результатов: 262
Manufacturer
Transistor Type
Technology
Рабочая частота
Gain
Transistor Polarity
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
Id - Continuous Drain Current
Выходная мощность
Maximum Drain Gate Voltage
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Pd - Power Dissipation
Вид монтажа
Package/Case
Packaging
Фильтр
Всего результатов: 262
TGF3015-SM
Описание: РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом .03-3GHz Gain 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaN
Производитель: Qorvo
CE3514M4-C2
Описание: РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C
Производитель: CEL
CE3521M4
Описание: РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C
Производитель: CEL
CE3512K2-C1
Описание: РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C
Производитель: CEL
CE3520K3-C1
Описание: РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C
Производитель: CEL
CGHV60040D-GP4
Описание: RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 40 Watt
Производитель: Wolfspeed
CGHV1F006S
Описание: РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt
Производитель: Wolfspeed