Интернет-магазин
электронных компонентов
ЗАПРОС
Категории
Корзины
Заказы
Оплата и доставка
Контакты
8 800 533-88-70
Поиск по компоненту
RUS
Войти
...
/
Главная
/
Все категории
/
Полупроводниковые компоненты
/
Транзисторы
/
Транзисторы полевые
Транзисторы полевые
Транзисторы полевые с изолированным затвором
1 товар
Транзисторы полевые с управляющим ПН переходом
986 товаров
Транзисторы полевые с управляющим переходом
263 товара
Подкатегории
Фильтры
Применить
Всего результатов:
20486
Вид монтажа
SMD/SMT
Through Hole
Screw Mount
Flange Mount
Screw Mounts
Package/Case
SOT-23
SOIC-8
ECH-8
TO-247-4
0.41 mm x 0.34 mm
SOT-23-3
TO-247-3
440193
QFN-48
TO-220-3
TO-252-3
PowerFLAT-5x6-8
TO-264-3
TO-252-3/2
ISOPLUS-i4-PAK-3
TO-263-3
TO-220AB
PICOSTAR-3
TO-220AB-3
Transistor Polarity
N-Channel
P-Channel
N-Channel, P-Channel
NPN
N-Channel, SBD
N-Channel, NPN
N-Channel, PNP
Channel Mode
Enhancement
Depletion
Qualification
AEC-Q101
AEC-Q100
AQG 324
Manufacturer
Diotec Semiconductor
Infineon
onsemi
Qorvo
GaN Systems
UnitedSiC
Torex Semiconductor
Wolfspeed
STMicroelectronics
Nexperia
Shindengen
IXYS
XSemi
MACOM
Panjit
Texas Instruments
Vishay
ROHM Semiconductor
InterFET
Technology
Si
GaN
SiC
GaAs
GaN-on-Si
GaN-on-SiC
Количество каналов
1 Channel
2 Channel
4 Channel
6 Channel
8 Channel
3 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
60 V
30 V
35 V
100 V
750 V
20 V
650 V
120 V
280 V
80 V
200 V
600 V
500 V
40 V
1700 V
900 V
3 kV
250 V
150 V
Id - Continuous Drain Current
440 mA
10 A
4.5 A
90 A
47 A
1 A
300 mA
60 A
12 A
4.8 A
48 A
2.2 A
8 A
26 A
36 A
120 A
170 A
13.3 A
1.4 A
Rds On - Drain-Source Resistance
2 Ohms
35 mOhms
59 mOhms
9.5 mOhms
33 mOhms
160 mOhms
1.6 Ohms
50 mOhms
170 mOhms
-
26 mOhms
130 mOhms
380 mOhms
6.4 mOhms
110 mOhms
80 mOhms
4.4 mOhms
14 mOhms
290 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
- 20 V, + 20 V
- 10 V, + 7 V
- 12 V, + 12 V
- 25 V, + 25 V
- 16 V, + 16 V
- 30 V, + 30 V
22 V
20 V
- 15 V, + 25 V
- 8 V, + 8 V
- 10 V, + 22 V
- 10 V, + 10 V
- 20 V, + 30 V
+ 20 V
- 8 V, + 22 V
- 7 V, + 23 V
- 20 V, + 16 V
- 12 V, + 16 V
- 6 V, + 6 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
1.4 V
1 V
2.6 V
1.3 V
700 mV
1.1 V
3 V
- 3 V
- 3.1 V
3.2 V
3.75 V
4 V
5 V
- 1.6 V
3.3 V
2.9 V
4.5 V
2.5 V
1.2 V
Qg - Gate Charge
61 nC
4.6 nC
8 nC
-
720 pC
120 nC
93.3 nC
11 nC
9.8 nC
44 nC
24.5 nC
35 nC
60 nC
185 nC
30 nC
56 nC
109 nC
163 nC
16 nC
Минимальная рабочая температура
- 55 C
-
- 40 C
- 50 C
- 65 C
0 C
- 25 C
- 60 C
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
+ 175 C
+ 225 C
+ 200 C
+ 155 C
+ 85 C
-
+ 125 C
+ 135 C
+ 90 C
+ 100 C
+ 275 C
+ 250 C
+ 107 C
+ 75 C
+ 130 C
+150 C
+125 C
+ 70 C
Pd - Power Dissipation
530 mW
2.5 W
1.3 W
242 W
500 mW
400 mW
446 W
-
200 W
52.5 W
62.5 W
90 W
95 W
140 W
1.25 kW
2 W
11.6 W
38 W
170 W
Tradename
MMFTN6001
GaNPX
MDmesh
STripFET
HiPerFET
BIMOSFET
HyperFET
DIT095N08
DIT120N08
X4-Class
PicoStar
TrenchFET
SiC JFET
SiC FET
PowerTrench
SuperFET FRFET
UniFET
UltraFET
U-MOSIV
Packaging
MouseReel
Reel
Tube
Tray
Cut Tape
Bulk
Ammo Pack
Waffle
Gel Pack
Фильтр
Всего результатов:
20486
2П829В
Описание:
Транзисторы кремниевые высоковольтные полевые n-канальные
Производитель:
АО «НПП «Завод «Искра»
Жизненый цикл:
Неизвестно
Поставщик:
Склад Tablo.top
Все поставщики
Доставка:
1 нед.
1+
132531.84
RUB
8 шт.
на складе
MOQ: 1 шт.
Итого:
132531.84
RUB
Купить в 1 клик
В КОРЗИНУ
2П304А
Описание:
Транзисторы кремниевые диффузорно-планарные полевые с изолированным затвором и индуцированным каналом р-типа
Производитель:
СБ3.365.106 ТУ
Жизненый цикл:
Неизвестно
Поставщик:
Склад Tablo.top
Все поставщики
Доставка:
1 нед.
1+
9297.75
RUB
13 шт.
на складе
MOQ: 1 шт.
Итого:
9297.75
RUB
Купить в 1 клик
В КОРЗИНУ
MMFTN6001
Описание:
МОП-транзистор МОП-транзистор, SOT-23, 60V, 0.44A, 150C, N
Производитель:
Diotec Semiconductor
Жизненый цикл:
Поставщик:
Все поставщики
Доставка:
Итого:
IRF7416TRPBF
Описание:
МОП-транзистор MOSFT PCh -30V -10A 20mOhm 61nC
Производитель:
Infineon Technologies
Жизненый цикл:
Поставщик:
Все поставщики
Доставка:
Итого:
ECH8657-TL-H
Описание:
МОП-транзистор SWITCHING DEVICE
Производитель:
onsemi
Жизненый цикл:
Поставщик:
Все поставщики
Доставка:
Итого:
QPD2060D
Описание:
RF JFET Transistors 0.60 mm Pwr pHEMT
Производитель:
Qorvo
Жизненый цикл:
Поставщик:
Все поставщики
Доставка:
Итого:
GS61008P-TR
Описание:
МОП-транзистор 100V, 90A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled
Производитель:
GaN Systems
Жизненый цикл:
Поставщик:
Все поставщики
Доставка:
Итого:
QPD2120D
Описание:
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 1.20mm Pwr pHEMT
Производитель:
Qorvo
Жизненый цикл:
Поставщик:
Все поставщики
Доставка:
Итого:
UJ4C075033K4S
Описание:
JFET 750V/33mOhm, N-Off SiC CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
Производитель:
UnitedSiC
Жизненый цикл:
Поставщик:
Все поставщики
Доставка:
Итого:
QPD2018D
Описание:
RF JFET Transistors 0.18 mm Pwr pHEMT
Производитель:
Qorvo
Жизненый цикл:
Поставщик:
Все поставщики
Доставка:
Итого:
Всего результатов:
20486
1
2
3