Интернет-магазин
электронных компонентов
ЗАПРОС
Категории
Корзины
Заказы
Оплата и доставка
Контакты
8 800 533-88-70
Поиск по компоненту
RUS
Войти
...
/
Главная
/
Все категории
/
Полупроводниковые компоненты
/
Транзисторы
/
Транзисторы полевые
/
Транзисторы полевые с управляющим переходом
Транзисторы полевые с управляющим переходом
Подкатегории
Фильтры
Применить
Всего результатов:
263
Manufacturer
Qorvo
Wolfspeed
CEL
MACOM
NXP
Central Semiconductor
Skyworks
Transistor Type
pHEMT
HEMT
JFET
Technology
GaAs
GaN-on-SiC
GaN
GaN-on-Si
Si
Рабочая частота
DC to 1.7 GHz
1.2 GHz to 1.4 GHz
2620 MHz to 2690 MHz
0.03 GHz to 3 GHz
DC to 6 GHz
3.7 GHz
30 MHz to 1.215 GHz
2.5 GHz to 5 GHz
1 GHz to 2.5 GHz
6 GHz
2.62 GHz to 2.69 GHz
3400 MHz to 3600 MHz
2.7 GHz
5 GHz to 5.9 GHz
2 GHz to 4 GHz
2 GHz to 6 GHz
4.5 GHz to 6 GHz
18 GHz
10 MHz to 18 GHz
Gain
13 dB
18 dB
19.8 dB
17.1 dB
16.5 dB
17.8 dB
20 dB
19 dB
18.6 dB
17 dB
16 dB
14 dB
16.7 dB
15 dB
21.4 dB
12 dB
20.3 dB
9 dB
21 dB
Transistor Polarity
P-Channel
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
-
65 V
125 V
32 V
120 V
50 V
28 V
150 V
100 V
4 V
84 V
36 V
160 V
145 V
48 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
-
- 10 V to 2 V
- 2.7 V
- 10 V, 2 V
145 V
100 V
- 10 V to 3 V
3 V
- 7 V to 2 V
- 8 V, 0 V
- 3 V
- 2.9 V
150 V
- 2.8 V
2.6 V
- 7 V to 1.5 V
2.7 V
Id - Continuous Drain Current
1 A
19 A
12 A
557 mA
1.5 A
14 A
2.5 A
817 mA
7.5 A
1.4 A
-
8.1 A
10 mA
650 mA
4.8 A
4.5 A
0.75 A
3.2 A
950 mA
Выходная мощность
537 W
750 W
300 W
11 W
10 W
450 W
70 W
24 W
37.7 dBm
170 W
120 W
34.7 W
200 W
400 W
60 W
112.9 W
45 W
9 W
40 W
Maximum Drain Gate Voltage
50 V
-
145 V
48 V
28 V
65 V
55 V
- 2.9 V
- 2.7 V
Минимальная рабочая температура
-
- 40 C
- 55 C
- 65 C
Максимальная рабочая температура
-
+ 85 C
+ 225 C
+ 150 C
+ 200 C
+ 125 C
+ 90 C
+ 100 C
+ 275 C
+ 250 C
+ 107 C
+ 75 C
+ 130 C
Pd - Power Dissipation
714 W
400 W
-
15.3 W
445 W
64 W
28.8 W
11.6 W
56 W
125 mW
12.5 W
150 W
14 W
21.6 W
35 W
28 W
67 W
288 W
5 W
Вид монтажа
Flange Mount
SMD/SMT
Screw Mount
Package/Case
0.41 m x 0.34 mm
NI-200
NI-780
H-87265J-2
QFN-EP-16
Die
440166
NI-50CW
NI-360
QFN-8
4.5 mm x 4 mm
H-37265J-2
440193
SOIC-8
0.41 mm x 0.34 mm
QFN-20
NI400-2
H-37248C-4
QFN-48
Packaging
Reel
Tray
Gel Pack
Bulk
Cut Tape
MouseReel
Waffle
Фильтр
Всего результатов:
263
QPD2040D
Описание:
RF JFET Transistors 0.40 mm Pwr pHEMT
Производитель:
Qorvo
Жизненый цикл:
Поставщик:
Все поставщики
Доставка:
Итого:
T2G6003028-FL
Описание:
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flanged
Производитель:
Qorvo
Жизненый цикл:
Поставщик:
Все поставщики
Доставка:
Итого:
QPD1016L
Описание:
RF JFET Transistors DC-1.7 GHz, 500W, 50V, GaN RF Tr
Производитель:
Qorvo
Жизненый цикл:
Поставщик:
Все поставщики
Доставка:
Итого:
QPD1028
Описание:
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 750W, 65V, Pre-matched, 1.2-1.4GHz, Earl
Производитель:
Qorvo
Жизненый цикл:
Поставщик:
Все поставщики
Доставка:
Итого:
GTVA262711FA-V2-R2
Описание:
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 300W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz
Производитель:
Wolfspeed
Жизненый цикл:
Поставщик:
Все поставщики
Доставка:
Итого:
TGF3015-SM
Описание:
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом .03-3GHz Gain 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaN
Производитель:
Qorvo
Жизненый цикл:
Поставщик:
Все поставщики
Доставка:
Итого:
TGF2023-2-01
Описание:
RF JFET Transistors DC-18GHZ 6W TQGaN25 PAE 71.6% Gain 18dB
Производитель:
Qorvo
Жизненый цикл:
Поставщик:
Все поставщики
Доставка:
Итого:
QPD2120D
Описание:
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 1.20mm Pwr pHEMT
Производитель:
Qorvo
Жизненый цикл:
Поставщик:
Все поставщики
Доставка:
Итого:
QPD2160D
Описание:
RF JFET Transistors 1.60mm Pwr pHEMT
Производитель:
Qorvo
Жизненый цикл:
Поставщик:
Все поставщики
Доставка:
Итого:
CMPA0060025F1
Описание:
RF JFET Transistors 25W, GaN MMIC Power Amplifier, 50V, 0.02-6.0GHz, Flange
Производитель:
Wolfspeed
Жизненый цикл:
Поставщик:
Все поставщики
Доставка:
Итого:
Всего результатов:
263
1
2
3