RUS
... / Главная / Все категории / Полупроводниковые компоненты /Модули беспроводной связи и РЧ полупроводники /Транзисторы РЧ /
Транзисторы полевые с управляющим переходом
Транзисторы полевые с управляющим переходом
Подкатегории
Фильтры
Всего результатов: 262
Manufacturer
Transistor Type
Technology
Рабочая частота
Gain
Transistor Polarity
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
Id - Continuous Drain Current
Выходная мощность
Maximum Drain Gate Voltage
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Pd - Power Dissipation
Вид монтажа
Package/Case
Packaging
Фильтр
Всего результатов: 262
CGHV50200F
Описание: РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 4.4-5.0GHz, 200 Watt
Производитель: Wolfspeed
CGH31240F
Описание: RF JFET Transistors 240W, GaN HEMT, 28V, 2.7-3.1GHz, IM FET, Flange
Производитель: Wolfspeed
CGHV59070P
Описание: RF JFET Transistors 70W, GaN HEMT, 50V, 5.2-5.9GHz, IM FET, Pill
Производитель: Wolfspeed
QPD9300TR7
Описание: РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 9.2-9.7 GHz, 30W, 28V, GaN RF IMFET
Производитель: Qorvo
NE3515S02-T1C-A
Описание: РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом Super Low Noise Pseudomorphic
Производитель: CEL
CG2H80120D-GP4
Описание: RF JFET Transistors GaN HEMT Bare Die 28V DC-8.0GHz 120W
Производитель: Wolfspeed
CG2H80060D-GP4
Описание: RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 60 Watt
Производитель: Wolfspeed