RUS
... / Главная / Все категории / Полупроводниковые компоненты /Модули беспроводной связи и РЧ полупроводники /Транзисторы РЧ /
Транзисторы полевые с управляющим переходом
Транзисторы полевые с управляющим переходом
Подкатегории
Фильтры
Всего результатов: 262
Manufacturer
Transistor Type
Technology
Рабочая частота
Gain
Transistor Polarity
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
Id - Continuous Drain Current
Выходная мощность
Maximum Drain Gate Voltage
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Pd - Power Dissipation
Вид монтажа
Package/Case
Packaging
Фильтр
Всего результатов: 262
2N5952 BK TIN/LEAD
Описание: RF JFET Transistors N-Ch 30Vgs 30Vdg 10mA 360mW
Производитель: Central Semiconductor
CE3521M4-C2
Описание: РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C
Производитель: CEL
NPT25100B
Описание: РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 2.1-2.7GHz 125W Gain 16.5dB GaN
Производитель: MACOM
GTRB206002FC/1-V1-R0
Описание: RF JFET Transistors 500W, 48V, 1930-2020 MHz GaN-SiC HEMT
Производитель: Wolfspeed
A3G26D055N-2400
Описание: RF JFET Transistors A3G26D055N 2400-2500 MHz Reference Circuit
Производитель: NXP Semiconductors
GTVA261802FC-V1-R2
Описание: РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 180W, GaN HEMT, 48V, 2496-2690MHz, 248 PP
Производитель: Wolfspeed
LTN/GTVA107001FC-V1
Описание: RF JFET Transistors Amplifier, 960-1215MHz, GTVA107001FC GaN HEMT is included
Производитель: Wolfspeed