RUS
Биполярные транзисторы
Подкатегории
Фильтры
Всего результатов: 14079
Manufacturer
Technology
Вид монтажа
Package/Case
Transistor Polarity
Configuration
Maximum DC Collector Current
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
Collector- Base Voltage VCBO
Emitter- Base Voltage VEBO
Collector-Emitter Saturation Voltage
Pd - Power Dissipation
Gain Bandwidth Product fT
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Qualification
Series
Packaging
Фильтр
Всего результатов: 14079
RN2111,LXHF(CT
Описание:
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)
Производитель: Toshiba
Жизненый цикл:
Поставщик:
Доставка:
Итого:
RN2421(TE85L,F)
Описание:
Bipolar Transistors - Pre-Biased NSM PLN TRANSISTOR Pd=0.2W F=1MHz
Производитель: Toshiba
Жизненый цикл:
Поставщик:
Доставка:
Итого:
IM241S6S1BAUMA1
Описание:
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Производитель: Infineon Technologies
Жизненый цикл:
Поставщик:
Доставка:
Итого:
IM241M6S1JAUMA1
Описание:
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Производитель: Infineon Technologies
Жизненый цикл:
Поставщик:
Доставка:
Итого:
2SAR582D3TL1
Описание:
Биполярные транзисторы - BJT TRANSISTOR
Производитель: ROHM Semiconductor
Жизненый цикл:
Поставщик:
Доставка:
Итого:
Поставщик:
Доставка:
Итого:
Поставщик:
Доставка:
Итого:
TDTC114Y,LM
Описание:
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения BRT 0.1A 50V 10KOhm / 47KOhm
Производитель: Toshiba
Жизненый цикл:
Поставщик:
Доставка:
Итого:
FF600R12ME4CB11BPSA1
Описание:
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MEDIUM POWER ECONO
Производитель: Infineon Technologies
Жизненый цикл:
Поставщик:
Доставка:
Итого:
2SAR512RHZGTL
Описание:
Биполярные транзисторы - BJT TRANSISTOR
Производитель: ROHM Semiconductor
Жизненый цикл:
Поставщик:
Доставка:
Итого: