RUS
Транзисторы биполярные Toshiba RN1101MFV,L3XHF(CT
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723)
Производитель: Toshiba
Статус жизненого цикла: Неизвестно
* Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
* Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
Технические параметры
Атрибут
Значение
Выбрать
RoHS
Y
Package/Case
VESM-3
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Размер фабричной упаковки
8000
Категория продукта
Bipolar Transistors - Pre-Biased
Pd - Power Dissipation
150 mW
Все параметры...
Похожие компоненты
В данный момент по товару нет предложений.
Документация
Datasheet