RUS
Транзисторы биполярные Toshiba RN1101MFV,L3XHF(CT
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723)
Производитель: Toshiba
Статус жизненого цикла: Неизвестно
* Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
* Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
Технические параметры
Атрибут
Значение
Выбрать
RoHS
Y
Package/Case
VESM-3
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Размер фабричной упаковки
8000
Категория продукта
Bipolar Transistors - Pre-Biased
Pd - Power Dissipation
150 mW
Все параметры...
Похожие компоненты (3207)
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416)
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения NPN x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=10kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
RN1423TE85LF
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения NPN 50V 0.8A TRANSISTOR LOG
Поставщик: Склад №86
Все поставщики
Доставка: 8 нед.
Тип упаковки:
24000 шт.
на складеКоличество
Цена
8000+
5.42 RUB
16000+
4.58 RUB
24000+
4.34 RUB
40000+
4.07 RUB
56000+
3.91 RUB
80000+
3.75 RUB
200000+
3.46 RUB
MOQ: 8000шт.
Всего:
0 RUB
Купить в 1 клик
Документация
Datasheet