Поиск по компоненту

RUS

Войти
bom
Tablo_logo

Транзисторы с изолированным затвором

Подкатегории
Фильтры
Всего результатов: 1715
Manufacturer
Technology
Package/Case
Вид монтажа
Configuration
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
Collector-Emitter Saturation Voltage
Maximum Gate Emitter Voltage
Continuous Collector Current at 25 C
Pd - Power Dissipation
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Series
Qualification
Packaging
Фильтр
Всего результатов: 1715
IXYH30N65C3
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT XPT-GENX3
Производитель: IXYS
Жизненый цикл:
Поставщик:
Все поставщики
Доставка:
Итого:
IXBH16N170A
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1700V 16A
Производитель: IXYS
Жизненый цикл:
Поставщик:
Все поставщики
Доставка:
Итого:
IXBH24N170
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) BIMOSFETS 1700V 60A
Производитель: IXYS
Жизненый цикл:
Поставщик:
Все поставщики
Доставка:
Итого:
VS-GT90DA120U
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) SOT-227 - SINGLE SWITCH IGBT +
Производитель: Vishay Semiconductors
Жизненый цикл:
Поставщик:
Все поставщики
Доставка:
Итого:
IXYH24N170CV1
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT XPT-HI VOLTAGE
Производитель: IXYS
Жизненый цикл:
Поставщик:
Все поставщики
Доставка:
Итого:
IXGH16N170
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 32 Amps 1700 V 3.5 V Rds
Производитель: IXYS
Жизненый цикл:
Поставщик:
Все поставщики
Доставка:
Итого:
FF300R17ME4PB11BPSA1
Описание: IGBT Transistors MEDIUM POWER ECONO
Производитель: Infineon Technologies
Жизненый цикл:
Поставщик:
Все поставщики
Доставка:
Итого:
FGH4L40T120LQD
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V 40A FSIII IGBT LOW VCESAT AND FAST FRD
Производитель: onsemi
Жизненый цикл:
Поставщик:
Все поставщики
Доставка:
Итого:
IXYH16N170C
Описание: IGBT Transistors IGBT XPT-HI VOLTAGE
Производитель: IXYS
Жизненый цикл:
Поставщик:
Все поставщики
Доставка:
Итого:
GT15J341,S4X
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Pb-F DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-220SIS P=30W F=1MHZ
Производитель: Toshiba
Жизненый цикл:
Поставщик:
Все поставщики
Доставка:
Итого:
Всего результатов: 1715