Интернет-магазин
электронных компонентов
ЗАПРОС
Категории
Корзины
Заказы
Оплата и доставка
Контакты
8 800 533-88-70
Поиск по компоненту
RUS
Войти
...
/
Главная
/
Все категории
/
Полупроводниковые компоненты
/
Транзисторы
/
Транзисторы с изолированным затвором
Транзисторы с изолированным затвором
Подкатегории
Фильтры
Применить
Всего результатов:
1715
Manufacturer
Toshiba
IXYS
Vishay
Infineon
onsemi
Bourns
STMicroelectronics
Microchip
ROHM Semiconductor
Littelfuse
Micro Commercial Components (MCC)
Diodes Incorporated
Renesas Electronics
WeEn Semiconductors
Shindengen
Technology
Si
SiC
Package/Case
TO-247-3
TO-247HV-3
SOT-227B-4
PLUS-247-3
TO247-3-32
TO-264-3
TO-247-4
TO-247N-3
TO-263HV-3
TO-252-3
TO-220-3 FP
TO-247AD-3
D2PAK-3
TO-263-3
PLUS247-3
PG-TO-247-4
TO-220-3
TO-268-3
TO-247
Вид монтажа
Through Hole
Screw Mounts
SMD/SMT
Screw Mount
Configuration
Single
single
Dual
Quad
Hex
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
1.7 kV
4.5 kV
1.2 kV
3 kV
650 V
2.5 kV
480 V
400 V
900 V
360 V
4 kV
1.6 kV
450 V
1.8 kV
1.1 kV
560 V
440 V
1.35 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.55 V
3.7 V
3.9 V
2.17 V
1.8 V
2.7 V
3.1 V
2.1 V
1.45 V
2.4 V
2.5 V
1.57 V
1.15 V
1.65 V
2.39 V
1.9 V
1.5 V
1.6 V
3.3 V
1.25 V
Maximum Gate Emitter Voltage
- 25 V, 25 V
- 20 V, + 20 V
- 20 V, 20 V
- 30 V, + 30 V
- 10 V, 10 V
- 10 V, + 10 V
- 25 V, + 25 V
- 30 V, 30 V
- 12 V, 16 V
- 15 V, + 15 V
20 V
-
Continuous Collector Current at 25 C
50 A
178 A
60 A
169 A
275 A
375 A
38 A
85 A
30 A
340 A
80 A
310 A
140 A
42 A
100 A
68 A
175 A
10 A
18.3 A
75 A
Pd - Power Dissipation
230 W
1.5 kW
430 W
781 W
830 W
1.36 kW
200 W
205 W
150 W
306 W
375 W
650 W
230.8 W
268 W
469 W
416 W
291 W
240 W
82 W
238 W
Минимальная рабочая температура
- 55 C
- 40 C
- 65 C
Максимальная рабочая температура
+ 175 C
+ 150 C
+ 125 C
Series
GT50JR22
Trench
Very High Voltage
1200V XPTTM Gen 4
1200V XPTTM Gen 8
1200V XPTTM Gen 10
1200V XPTTM Gen 5
BID
Trenchstop IGBT3
STGW40H60DLFB
IXYH30N120
IXGH28N60
ISL9V5045S_F085
Trenchstop IGBT5
IGBT 6
Trenchstop IGBT5 S5
Trenchstop IGBT5 H5
Trenchstop 5 H5
FGH40N60SFD
Qualification
AEC-Q101
Packaging
Tray
Tube
MouseReel
Cut Tape
Bulk
Reel
Фильтр
Всего результатов:
1715
IKW40N120T2FKSA1
Описание:
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
Производитель:
Infineon Technologies
Жизненый цикл:
Неизвестно
Поставщик:
Все поставщики
Страна:
Доставка:
Итого:
RGTH80TS65GC11
Описание:
IGBT Transistors 650V 40A Trench IGBT Field Stop TO-247N
Производитель:
ROHM Semiconductor
Жизненый цикл:
Неизвестно
Поставщик:
Все поставщики
Страна:
Доставка:
Итого:
IKW30N60DTPXKSA1
Описание:
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) INDUSTRY 14
Производитель:
Infineon Technologies
Жизненый цикл:
Неизвестно
Поставщик:
Все поставщики
Страна:
Доставка:
Итого:
FGH50T65UPD
Описание:
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650 V 100 A 240 W
Производитель:
onsemi / Fairchild
Жизненый цикл:
Неизвестно
Поставщик:
Все поставщики
Страна:
Доставка:
Итого:
RGTH60TS65GC11
Описание:
IGBT Transistors 650V 30A IGBT Stop Trench
Производитель:
ROHM Semiconductor
Жизненый цикл:
Неизвестно
Поставщик:
Все поставщики
Страна:
Доставка:
Итого:
IGW40T120
Описание:
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 1200V 40A
Производитель:
Infineon Technologies
Жизненый цикл:
Неизвестно
Поставщик:
Все поставщики
Страна:
Доставка:
Итого:
APT44GA60BD30
Описание:
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-247
Производитель:
Microchip Technology
Жизненый цикл:
Неизвестно
Поставщик:
Все поставщики
Страна:
Доставка:
Итого:
APT36GA60B
Описание:
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, TO-247
Производитель:
Microchip Technology
Жизненый цикл:
Неизвестно
Поставщик:
Все поставщики
Страна:
Доставка:
Итого:
APT50GF120LRG
Описание:
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 50A, TO-264, RoHS
Производитель:
Microchip Technology
Жизненый цикл:
Неизвестно
Поставщик:
Все поставщики
Страна:
Доставка:
Итого:
GT40WR21,Q
Описание:
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-3PN(OS) V=1800 IC=40A
Производитель:
Toshiba
Жизненый цикл:
Неизвестно
Поставщик:
Все поставщики
Страна:
Доставка:
Итого:
Всего результатов:
1715
1
18
19
20