RUS
... / Главная / Все категории / Полупроводниковые компоненты /Диодные мосты /Транзисторы / Транзисторы биполярные с изолированным затвором
Транзисторы биполярные с изолированным затвором
IGBT Modules are available at Mouser Electronics from industry leading manufacturers. Mouser is an authorized distributor for many IGBT module manufacturers including Infineon, IXYS, Microsemi, Mitsubishi, ON Semiconductor, Vishay, & more. Please view our large selection of IGBT modules below.
Подкатегории
Фильтры
Всего результатов: 1696
Manufacturer
Product
Configuration
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
Collector-Emitter Saturation Voltage
Continuous Collector Current at 25 C
Gate-Emitter Leakage Current
Pd - Power Dissipation
Package/Case
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Qualification
Packaging
Фильтр
Всего результатов: 1696
BSM75GD120DN2
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 75A 3-PHASE
Производитель: Infineon Technologies
BSM25GD120DN2
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 25A FL BRIDGE
Производитель: Infineon Technologies
FP25R12U1T4
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 25A 1200V
Производитель: Infineon Technologies
CM200DU-12NFH
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULE NFH-SERIES HI-FREQUENCY DUAL
Производитель: Mitsubishi Electric
FZ1500R33HE3
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 3300V 1500A
Производитель: Infineon Technologies
BSM35GP120BPSA1
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER ECONO
Производитель: Infineon Technologies
BSM50GD120DN2BPSA1
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER ECONO
Производитель: Infineon Technologies
STGIB15CH60TS-L
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM 2nd,3phs 15A,600V shrt-crct
Производитель: STMicroelectronics
FS75R12KT3G
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 100A
Производитель: Infineon Technologies