RUS
РЧ транзисторы
Подкатегории
Фильтры
Всего результатов: 1025
Manufacturer
Тип продукта
Вид монтажа
Package/Case
Transistor Type
Technology
Рабочая частота
Выходная мощность
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Gain
Qualification
Packaging
Фильтр
Всего результатов: 1025
A5G35H055NT4
Описание:
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 3400 3600 MHz, 7.6 W Avg., 48 V
Производитель: NXP Semiconductors
Жизненый цикл:
Поставщик:
Доставка:
Итого:
BFR 460L3 E6327
Описание:
РЧ биполярные транзисторы NPN Silicn RF TRNSTR 4.5V 50mA
Производитель: Infineon Technologies
Жизненый цикл:
Поставщик:
Доставка:
Итого:
MRF392
Описание:
RF Bipolar Transistors 100-400MHz 125Watts 28Volt Gain 10dB
Производитель: MACOM
Жизненый цикл:
Поставщик:
Доставка:
Итого:
RFM01U7P(TE12L,F)
Описание:
РЧ МОП-транзисторы Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 0.1A 3W 20V
Производитель: Toshiba
Жизненый цикл:
Поставщик:
Доставка:
Итого:
BFR843EL3E6327XTSA1
Описание:
РЧ биполярные транзисторы RF BIP TRANSISTORS
Производитель: Infineon Technologies
Жизненый цикл:
Поставщик:
Доставка:
Итого:
QPD1025
Описание:
RF MOSFET Transistors 1-1.1GHz 1800 Watt Gain 22.5dB 65V GaN
Производитель: Qorvo
Жизненый цикл:
Поставщик:
Доставка:
Итого:
BFU630F,115
Описание:
RF Bipolar Transistors Single NPN 21GHz
Производитель: NXP Semiconductors
Жизненый цикл:
Поставщик:
Доставка:
Итого:
BFR740L3RHE6327XTSA1
Описание:
РЧ биполярные транзисторы NPN Silicn Germanium RF Transistor
Производитель: Infineon Technologies
Жизненый цикл:
Поставщик:
Доставка:
Итого:
MT3S111(TE85L,F)
Описание:
РЧ биполярные транзисторы RF Bipolar Transistor .1A 700mW
Производитель: Toshiba
Жизненый цикл:
Поставщик:
Доставка:
Итого:
A2V09H525-04NR6
Описание:
RF MOSFET Transistors Airfast RF LDMOS Wideband Integrated power amplifier, 575-960 MHz, 525 W, 48 V
Производитель: NXP Semiconductors
Жизненый цикл:
Поставщик:
Доставка:
Итого: