RUS
... / Главная / Все категории / Полупроводниковые компоненты /Транзисторы /РЧ транзисторы /
РЧ МОП транзисторы
РЧ МОП транзисторы
Подкатегории
Фильтры
Всего результатов: 577
Manufacturer
Transistor Polarity
Technology
Id - Continuous Drain Current
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
Rds On - Drain-Source Resistance
Рабочая частота
Gain
Выходная мощность
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Вид монтажа
Package/Case
Packaging
Фильтр
Всего результатов: 577
Поставщик:
Склад №272
Доставка:
8 нед.
1+
16608.08RUB
29 шт.
на складе
MOQ: 1 шт.
Итого:
16608.08
RUBКупить в 1 клик
PD57045-E
Описание:
РЧ МОП-транзисторы RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
Производитель: STMicroelectronics
Жизненый цикл:
A2V09H525-04NR6
Описание:
RF MOSFET Transistors Airfast RF LDMOS Wideband Integrated power amplifier, 575-960 MHz, 525 W, 48 V
Производитель: NXP Semiconductors
Жизненый цикл:
Поставщик:
Склад №272
Доставка:
8 нед.
1+
16594.55RUB
95 шт.
на складе
MOQ: 1 шт.
Итого:
16594.55
RUBКупить в 1 клик
ARF466BG
Описание:
РЧ МОП-транзисторы FG, MOSFET, 1000V, TO-264, RoHS
Производитель: Microchip Technology
Жизненый цикл:
PD55015STR-E
Описание:
RF MOSFET Transistors POWER R.F.
Производитель: STMicroelectronics
Жизненый цикл:
RF2L16180CF2
Описание:
РЧ МОП-транзисторы 180 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor
Производитель: STMicroelectronics
Жизненый цикл:
PTRA084858NF-V1-R5
Описание:
RF MOSFET Transistors 615W, Si LDMOS, 48V, 730-960 MHz, TO288
Производитель: Wolfspeed
Жизненый цикл:
A5G35H110NT4
Описание:
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 3300 3700 MHz, 15.1 W Avg., 48 V
Производитель: NXP Semiconductors
Жизненый цикл:
PTRA097058NB-V1-R2
Описание:
RF MOSFET Transistors 850W, Si LDMOS 48V, 730-960 MHz, TO288
Производитель: Wolfspeed
Жизненый цикл:
A5G38H045NT4
Описание:
РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power GaN Transistor, 3400 4000 MHz, 5.4 W Avg., 48 V
Производитель: NXP Semiconductors
Жизненый цикл: