RUS
... / Главная / Все категории / Полупроводниковые компоненты /Модули беспроводной связи и РЧ полупроводники /Транзисторы РЧ / РЧ МОП транзисторы
РЧ МОП транзисторы
Подкатегории
Фильтры
Всего результатов: 577
Manufacturer
Transistor Polarity
Technology
Id - Continuous Drain Current
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
Rds On - Drain-Source Resistance
Рабочая частота
Gain
Выходная мощность
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Вид монтажа
Package/Case
Packaging
Фильтр
Всего результатов: 577
AFIC31025GNR1
Описание: RF MOSFET Transistors Airfast RF Power Integrated Power Amplifier, 25 W Pulse over 2400-3100 MHz, 32 V
Производитель: NXP Semiconductors
MMRF1312GSR5
Описание: РЧ МОП-транзисторы RF POWER LDMOS TRANSISTOR 900-1215 MHz, 1000 W Peak, 52 V
Производитель: NXP Semiconductors
ARF449BG
Описание: RF MOSFET Transistors FG, MOSFET, 500V, TO-247, RoHS
Производитель: Microchip Technology
RFM00U7U(TE85L,F)
Описание: RF MOSFET Transistors Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 0.1A 0.25W 20V
Производитель: Toshiba
AFIC31025NR1
Описание: RF MOSFET Transistors Airfast RF Power Integrated Power Amplifier, 25 W Pulse over 2400-3100 MHz, 32 V
Производитель: NXP Semiconductors
MRF13750HSR5
Описание: RF MOSFET Transistors RF Power LDMOS Transistor 750 W CW over 700-1300 MHz, 50 V
Производитель: NXP Semiconductors
A3T18H455W23SR6
Описание: РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1805-1880 MHz, 87 W Avg., 30 V
Производитель: NXP Semiconductors
A2V07H400-04NR3
Описание: RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 420-851 MHz, 107 W Avg., 48 V
Производитель: NXP Semiconductors