Новые электронные компоненты

Описание: RF Power Transistor, 1.8 to 600 MHz, 1250 W, Typ Gain in dB is 22.9 @ 230 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1787

Производитель: NXP Semiconductors

Жизненый цикл: Неизвестно

Описание: RF Power Transistor, 1.8 to 600 MHz, 300 W, Typ Gain in dB is 25 @ 130 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1827

Производитель: NXP Semiconductors

Жизненый цикл: Неизвестно

Описание: RF MOSFET Transistors Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V

Производитель: NXP Semiconductors

Жизненый цикл: Неизвестно

Описание: Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V, CFM4F, RoHS

Производитель: NXP Semiconductors

Жизненый цикл: Неизвестно

Описание: ARF460B Series N-Channel 150 W 65 MHz Flange Mount RF Power Mosfet - TO-247CS

Производитель: Microchip

Жизненый цикл: Неизвестно

Описание: RF Power Transistor, 1.8 to 600 MHz, 600 W, Typ Gain in dB is 24.6 @ 230 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1787

Производитель: NXP Semiconductors

Жизненый цикл: Неизвестно

Описание: RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source

Производитель: Microchip

Жизненый цикл: Неизвестно

Описание: RF Power Transistor, 0.03 to 4 GHz, 30 W, 19.3 dB, 32 V, GaN, Plastic

Производитель: Qorvo

Жизненый цикл: Неизвестно

Описание: RF Power Transistor, DC to 3.5 GHz, 100 W, 14 dB, 28 V, GaN

Производитель: Qorvo

Жизненый цикл: Неизвестно

Описание: RF MOSFET Transistors N-Ch Radio Freq 5A 20W 30V VDSS

Производитель: Toshiba

Жизненый цикл: Неизвестно