RUS
... / Главная / Все категории / Полупроводниковые компоненты /Интегральные схемы /Микросхемы памяти цифровые /
DRAM
DRAM
Подкатегории
Фильтры
Всего результатов: 4061
Manufacturer
Type
Вид монтажа
Package/Case
Data Bus Width
Organization
Memory Size
Максимальная тактовая частота
Access Time
Напряжение питания - макс.
Напряжение питания - мин.
Напряжение питания - макс.
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Series
Qualification
Packaging
Фильтр
Всего результатов: 4061
IS46TR16512BL-107MBLA1
Описание:
DRAM 8G 512Mx16 1866MT/s 1.35V DDR3L A-Temp
Производитель: ISSI
Жизненый цикл: Неизвестно
Поставщик:
Доставка:
Итого:
IS45S16320D-7TLA2
Описание:
DRAM 512Mb, 3.3V, 143MHz 32Mx16 SDR SDRAM
Производитель: ISSI
Жизненый цикл: Неизвестно
Поставщик:
Доставка:
Итого:
IS45S32400F-7TLA2
Описание:
DRAM 128Mb, 3.3V, 143MHz 4Mx32 SDR SDRAM
Производитель: ISSI
Жизненый цикл: Неизвестно
Поставщик:
Доставка:
Итого:
MT48LC8M16A2TG-6A:L
Описание:
DRAM SDRAM 128M 8M X 16 TSOP C TEMP , LEADED
Производитель: Alliance Memory
Жизненый цикл: Неизвестно
Поставщик:
Доставка:
Итого:
MT48H16M32LFB5-6 IT:C TR
Описание:
DRAM MOBILE SDRAM 512M 16MX32 FBGA
Производитель: Micron
Жизненый цикл: Неизвестно
Поставщик:
Доставка:
Итого:
AS4C64M16D3LB-12BIN
Описание:
DRAM 1G 1.35V 800MHz 64Mx16 DDR3 I-Temp
Производитель: Alliance Memory
Жизненый цикл: Неизвестно
Поставщик:
Доставка:
Итого:
IS42VM16160K-6BLI
Описание:
DRAM 256M, 1.8V, 166Mhz 16Mx16 Mobile SDR
Производитель: ISSI
Жизненый цикл: Неизвестно
Поставщик:
Доставка:
Итого:
IS43TR16512BL-107MBL
Описание:
DRAM 8G 512Mx16 1866MT/s 1.35V DDR3L
Производитель: ISSI
Жизненый цикл: Неизвестно
Поставщик:
Доставка:
Итого:
IS43QR16256B-075UBLI
Описание:
DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2666MT/s a. 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, IT
Производитель: ISSI
Жизненый цикл: Неизвестно
Поставщик:
Доставка:
Итого:
IS45S16800F-7BLA2-TR
Описание:
DRAM 128Mb, 3.3V, 143MHz 8M x 16 SDRAM
Производитель: ISSI
Жизненый цикл: Неизвестно
Поставщик:
Доставка:
Итого: