RUS
... / Главная / Все категории / Полупроводниковые компоненты /Интегральные схемы /Микросхемы памяти цифровые /
DRAM
DRAM
Подкатегории
Фильтры
Всего результатов: 4061
Manufacturer
Type
Вид монтажа
Package/Case
Data Bus Width
Organization
Memory Size
Максимальная тактовая частота
Access Time
Напряжение питания - макс.
Напряжение питания - мин.
Напряжение питания - макс.
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Series
Qualification
Packaging
Фильтр
Всего результатов: 4061
MT40A512M8SA-075:F
Описание:
DRAM DDR4 4G 512MX8 FBGA
Производитель: Micron
Жизненый цикл: Неизвестно
Поставщик:
Доставка:
Итого:
MT40A2G8SA-062E IT:F
Описание:
DRAM DDR4 16G 2GX8 FBGA IT
Производитель: Micron
Жизненый цикл: Неизвестно
Поставщик:
Доставка:
Итого:
MT52L256M32D1PF-107 WT:B
Описание:
DRAM LPDDR3 8G 256MX32 FBGA
Производитель: Micron
Жизненый цикл: Неизвестно
Поставщик:
Доставка:
Итого:
MT53E1G32D2FW-046 WT:B
Описание:
DRAM LPDDR4 32G 1GX32 FBGA DDP
Производитель: Micron
Жизненый цикл: Неизвестно
Поставщик:
Доставка:
Итого:
MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B
Описание:
DRAM LPDDR4 16G 512MX32 FBGA
Производитель: Micron
Жизненый цикл: Неизвестно
Поставщик:
Доставка:
Итого:
IS42S16100H-7TLI
Описание:
DRAM 16M, 3.3V, SDRAM 1Mx16, 143Mhz,RoHS
Производитель: ISSI
Жизненый цикл: Неизвестно
Поставщик:
Доставка:
Итого:
IS46R16320E-6TLA1
Описание:
DRAM Automotive (-40 to +85C), 512M, 2.5V, DDR1, 32Mx16, 166MHz, 66 pin TSOP-II RoHS
Производитель: ISSI
Жизненый цикл: Неизвестно
Поставщик:
Доставка:
Итого:
IS43R16320E-5TL
Описание:
DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS
Производитель: ISSI
Жизненый цикл: Неизвестно
Поставщик:
Доставка:
Итого:
IS43LR32160B-6BLI
Описание:
DRAM 512M, 1.8V, 166Mhz 16Mx32 DDR Mobile
Производитель: ISSI
Жизненый цикл: Неизвестно
Поставщик:
Доставка:
Итого:
IS46R16320D-6TLA2
Описание:
DRAM 512M, 2.5V, 166Mhz 32Mx16 DDR SDRAM
Производитель: ISSI
Жизненый цикл: Неизвестно
Поставщик:
Доставка:
Итого: