RUS
... / Главная / Все категории / Полупроводниковые компоненты /Диодные мосты / Дискретные полупроводниковые модули
Дискретные полупроводниковые модули
Подкатегории
Фильтры
Всего результатов: 2949
Manufacturer
Product
Type
Technology
Vf - Forward Voltage
Vr - Reverse Voltage
Vgs - Gate-Source Voltage
Вид монтажа
Package/Case
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Series
Qualification
Packaging
Фильтр
Всего результатов: 2949
VS-VSKCS200/045
Описание: Дискретные полупроводниковые модули 200 Amp 45 Volt 8600 Amp IFSM
Производитель: Vishay Semiconductors
VS-VSKD91/12
Описание: Discrete Semiconductor Modules 1200 Volt 100 Amp 2115 Amp IFSM
Производитель: Vishay Semiconductors
IXFN360N15T2
Описание: Дискретные полупроводниковые модули GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Производитель: IXYS
VS-VSKJ91/06
Описание: Дискретные полупроводниковые модули 600 Volt 100 Amp 2115 Amp IFSM
Производитель: Vishay Semiconductors
STE145N65M5
Описание: Дискретные полупроводниковые модули N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ 143 A MDmesh M5 Power MOSFET
Производитель: STMicroelectronics
STT1400N18P55XPSA1
Описание: Discrete Semiconductor Modules THYR / DIODE MODULE DK
Производитель: Infineon Technologies
MCB30P1200LB-TUB
Описание: Discrete Semiconductor Modules SiC MOSFET phaseleg 40mO SMPD-B
Производитель: IXYS