Поиск по компоненту

RUS

Войти
bom
Tablo_logo
Подкатегории
Фильтры
Всего результатов: 14080
Manufacturer
Technology
Вид монтажа
Package/Case
Transistor Polarity
Configuration
Maximum DC Collector Current
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
Collector- Base Voltage VCBO
Emitter- Base Voltage VEBO
Collector-Emitter Saturation Voltage
Pd - Power Dissipation
Gain Bandwidth Product fT
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Qualification
Series
Packaging
Фильтр
Всего результатов: 14080
FF300R12KS4PHOSA1
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MEDIUM POWER 62MM
Производитель: Infineon Technologies
Жизненый цикл:
Поставщик:
Все поставщики
Доставка:
Итого:
PM150RG1C120
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Производитель: Mitsubishi Electric
Жизненый цикл:
Поставщик:
Все поставщики
Доставка:
Итого:
RN2302,LXHF
Описание: Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения AUTO AEC-Q Single PNP , R1=10kOhm, R2=10kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-323)
Производитель: Toshiba
Жизненый цикл:
Поставщик:
Все поставщики
Доставка:
Итого:
FS150R12N2T7B15BPSA1
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Производитель: Infineon Technologies
Жизненый цикл:
Поставщик:
Все поставщики
Доставка:
Итого:
RN2101MFV,L3XHF(CT
Описание: Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-723)
Производитель: Toshiba
Жизненый цикл:
Поставщик:
Все поставщики
Доставка:
Итого:
2SD1047
Описание: Биполярные транзисторы - BJT High power NPN epitaxial planar bipolar transistor
Производитель: STMicroelectronics
Жизненый цикл:
Поставщик:
Все поставщики
Доставка:
Итого:
DTC123YMT2L
Описание: Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения TRANSISTOR
Производитель: ROHM Semiconductor
Жизненый цикл:
Поставщик:
Все поставщики
Доставка:
Итого:
RN1101MFV,L3XHF(CT
Описание: Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723)
Производитель: Toshiba
Жизненый цикл:
Поставщик:
Все поставщики
Доставка:
Итого:
FP100R12N2T7BPSA2
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Производитель: Infineon Technologies
Жизненый цикл:
Поставщик:
Все поставщики
Доставка:
Итого:
NJW0302G
Описание: Биполярные транзисторы - BJT 150W
Производитель: onsemi
Жизненый цикл:
Поставщик:
Все поставщики
Доставка:
Итого:
Всего результатов: 14080