RUS
Транзисторы с изолированным затвором Toshiba GT15J341,S4X
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Pb-F DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-220SIS P=30W F=1MHZ
Производитель: Toshiba
Статус жизненого цикла: Неизвестно
* Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
* Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
Технические параметры
Атрибут
Значение
Выбрать
Вид монтажа
Through Hole
RoHS
Y
Package/Case
TO-220SIS-3
Тип продукта
IGBT Transistors
Размер фабричной упаковки
50
Категория продукта
IGBT Transistors
Все параметры...
Похожие компоненты
Поставщик: Склад №86
Все поставщики
Доставка: 8 нед.
Тип упаковки:
128 шт.
на складеКоличество
Цена
1+
396.43 RUB
50+
197.41 RUB
100+
156.45 RUB
500+
126.6 RUB
1000+
117.01 RUB
2000+
110.14 RUB
MOQ: 1шт.
Всего:
396.43 RUB
Купить в 1 клик
Документация
Datasheet