Интернет-магазин
электронных компонентов
ЗАПРОС
Категории
Корзины
Заказы
Оплата и доставка
Контакты
order@tablo.top
Поиск по компоненту
RUS
Войти
...
/
Главная
/
Все категории
/
Полупроводниковые компоненты
/
Транзисторы
/
Транзисторы с изолированным затвором
/
GT20N135SRA,S1E
Транзисторы с изолированным затвором Toshiba GT20N135SRA,S1E
IGBT Transistors DISCRET IGBT TRANSTR Vces=1350V Ic=40A
Производитель:
Toshiba
Статус жизненого цикла:
Неизвестно
* Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
* Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
Технические параметры
Атрибут
Значение
Выбрать
Вид монтажа
Through Hole
RoHS
Y
Unit Weight
6,150 mg
Package/Case
TO-247-3
Тип продукта
IGBT Transistors
Размер фабричной упаковки
30
Все параметры...
Показать похожие
Похожие компоненты
Показать все
В данный момент по товару нет предложений.
Оставить заявку
Доставка
Самовывоз и доставка транспортной компанией.
Узнать больше
Оплата
Оплата картой онлайн и по счету.
Узнать больше
Документация
Datasheet