RUS
Транзисторы с изолированным затвором Toshiba GT20J341,S4X(S
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-220SIS MOQ=50 V=1.5 IC=20A
Производитель: Toshiba
Статус жизненого цикла: Неизвестно
* Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
* Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
Технические параметры
Атрибут
Значение
Выбрать
Вид монтажа
Through Hole
RoHS
Y
Package/Case
TO-220SIS-3
Тип продукта
IGBT Transistors
Размер фабричной упаковки
50
Категория продукта
IGBT Transistors
Все параметры...
Похожие компоненты
В данный момент по товару нет предложений.
Документация
Datasheet