RUS
Транзисторы с изолированным затвором Toshiba GT50JR22(STA1,E,S)
Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 230000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine
Производитель: Toshiba
Статус жизненого цикла: Неизвестно
* Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
* Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
Технические параметры
Атрибут
Значение
Выбрать
RoHS
Y
Тип продукта
IGBT Transistors
Размер фабричной упаковки
25
Категория продукта
IGBT Transistors
Pd - Power Dissipation
230 W
Максимальная рабочая температура
+ 175 C
Все параметры...
Похожие компоненты
Поставщик: Склад №182
Все поставщики
Доставка: 4 нед.
Тип упаковки:
7 шт.
на складеКоличество
Цена
1+
762.82 RUB
10+
749.84 RUB
50+
454.23 RUB
100+
380.69 RUB
1000+
315.8 RUB
10000+
315.8 RUB
MOQ: 1шт.
Всего:
762.82 RUB
Купить в 1 клик
Документация
Datasheet