RUS
Транзисторы с изолированным затвором Toshiba GT50JR22(STA1,E,S)
Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 230000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine
Производитель: Toshiba
Статус жизненого цикла: Неизвестно
* Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
* Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
Технические параметры
Атрибут
Значение
Выбрать
RoHS
Y
Тип продукта
IGBT Transistors
Размер фабричной упаковки
25
Категория продукта
IGBT Transistors
Pd - Power Dissipation
230 W
Максимальная рабочая температура
+ 175 C
Все параметры...
Похожие компоненты (1714)
Поставщик: Склад №182
Все поставщики
Доставка: 8 нед.
Тип упаковки:
168 шт.
на складеКоличество
Цена
1+
715.74 RUB
10+
703.56 RUB
50+
426.2 RUB
100+
313.9 RUB
1000+
260.4 RUB
10000+
242.44 RUB
MOQ: 1шт.
Всего:
715.74 RUB
Купить в 1 клик
Документация
Datasheet