RUS
Транзисторы с изолированным затвором STMicroelectronics STGD4M65DF2
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss
Производитель: STMicroelectronics
Статус жизненого цикла: Неизвестно
* Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
* Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
Технические параметры
Атрибут
Значение
Выбрать
RoHS
E
Package/Case
DPAK-3
Тип продукта
IGBT Transistors
Размер фабричной упаковки
2500
Категория продукта
IGBT Transistors
Pd - Power Dissipation
68 W
Все параметры...
Похожие компоненты
В данный момент по товару нет предложений.
Документация
Datasheet