RUS
Транзисторы с изолированным затвором STMicroelectronics STGWA20H65DFB2
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT
Производитель: STMicroelectronics
Статус жизненого цикла: Неизвестно
* Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
* Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
Технические параметры
Атрибут
Значение
Выбрать
RoHS
Y
Package/Case
TO-247-3
Тип продукта
IGBT Transistors
Размер фабричной упаковки
600
Категория продукта
IGBT Transistors
Pd - Power Dissipation
147 W
Все параметры...
Похожие компоненты
В данный момент по товару нет предложений.
Документация
Datasheet