Интернет-магазин
электронных компонентов
ЗАПРОС
Категории
Корзины
Заказы
Оплата и доставка
Контакты
8 800 533-88-70
Поиск по компоненту
RUS
Войти
...
/
Главная
/
Все категории
/
Полупроводниковые компоненты
/
Транзисторы
/
Транзисторы с изолированным затвором
/
STGH30H65DFB-2AG
Транзисторы с изолированным затвором STMicroelectronics STGH30H65DFB-2AG
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high-speed HB series IGBT
Производитель:
STMicroelectronics
Статус жизненого цикла:
Неизвестно
* Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
* Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
Технические параметры
Атрибут
Значение
Выбрать
RoHS
Y
Тип продукта
IGBT Transistors
Размер фабричной упаковки
1000
Категория продукта
IGBT Transistors
Pd - Power Dissipation
260 W
Максимальная рабочая температура
+ 175 C
Все параметры...
Показать похожие
Похожие компоненты
Показать все
В данный момент по товару нет предложений.
Оставить заявку
Доставка
Самовывоз и доставка транспортной компанией.
Узнать больше
Оплата
Оплата картой онлайн и по счету.
Узнать больше
Документация
Datasheet