RUS
Транзисторы с изолированным затвором STMicroelectronics STGH30H65DFB-2AG
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high-speed HB series IGBT
Производитель: STMicroelectronics
Статус жизненого цикла: Неизвестно
* Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
* Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
Технические параметры
Атрибут
Значение
Выбрать
Вид монтажа
Through Hole
RoHS
Y
Тип продукта
IGBT Transistors
Размер фабричной упаковки
1000
Категория продукта
IGBT Transistors
Pd - Power Dissipation
260 W
Все параметры...
Похожие компоненты (1714)
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V, 25A Field Stop Trench IGBT
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FS4 MID SPEED IGBT 650V 75A TO247-4L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
В данный момент по товару нет предложений.
Документация
Datasheet