RUS
Магниторезистивная оперативная память Renesas M10042040054X0ISAY
Магниторезистивная оперативная память (MRAM) M10042040054X0I 4MB HIGH PERFORMANCE QSPI 54MHZ IND Магниторезистивная оперативная память (MRAM)
Производитель: Renesas
Статус жизненого цикла: Неизвестно
* Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
* Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
Технические параметры
Атрибут
Значение
Выбрать
RoHS
Y
Тип продукта
MRAM
Размер фабричной упаковки
150
Moisture Sensitive
Yes
Категория продукта
MRAM
Brand
Renesas Electronics
Все параметры...
Похожие компоненты
В данный момент по товару нет предложений.
Документация
Datasheet