bomЗАПРОС
category Категории
cartКорзины
orderЗаказы
payОплата и доставка contactsКонтакты
8 800 533-88-70
Поиск по компоненту

RUS

Войти
bom
Tablo_logo
... / Главная / Все категории / Полупроводниковые компоненты /Интегральные схемы /Микросхемы памяти цифровые /Магниторезистивная оперативная память /

M3032316045NX0IBCY

Магниторезистивная оперативная память Renesas Electronics M3032316045NX0IBCY

Магниторезистивная оперативная память (MRAM) 32Mb Магниторезистивная оперативная память (MRAM) parallel interface, 45ns, FBGA
Производитель: Renesas Electronics
Статус жизненого цикла: Неизвестно
* Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
* Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
Технические параметры
Атрибут
Значение
Выбрать
RoHS
Y
Package/Case
FBGA-48
Тип продукта
MRAM
Размер фабричной упаковки
168
Moisture Sensitive
Yes
Категория продукта
MRAM
Все параметры...
Показать похожие (622)
Похожие компоненты (622)
MR25H128AMDF
MRAM 128Kb 3.3V 16Kx8 SPI
MR25H128ACDF
MRAM 128Kb 3.3V 16Kx8 SPI
AS3001204-0054X0IWAY
MRAM Avalanche High Performance Serial P-SRAM 1Mb in WSON8 package with QSPI - 54MHz interface, 3V, -40 C to 85 C
Показать все
В данный момент по товару нет предложений.
Оставить заявку
Доставка
Самовывоз и доставка транспортной компанией.
Узнать больше
Оплата
Оплата картой онлайн и по счету.
Узнать больше
Документация
Datasheet