RUS
Магниторезистивная оперативная память Renesas Electronics M10162040108X0PWAY
MRAM M10162040108X0P 16MB HIGH PERFORMANCE QSPI 108MHZ IND PL
Производитель: Renesas Electronics
Статус жизненого цикла: Неизвестно
* Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
* Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
Технические параметры
Атрибут
Значение
Выбрать
RoHS
Y
Тип продукта
MRAM
Размер фабричной упаковки
225
Moisture Sensitive
Yes
Категория продукта
MRAM
Brand
Renesas Electronics
Все параметры...
Похожие компоненты (363)
Vibration Sensors Top exit, 85 C, 4-20 mA ( 5% @ full scale) proportional to Velocity, Equivalent Peak, 2.0 ips (50.8 mm/sec), MIL-C-5015 connector.
Vibration Sensors Top exit, 105 C, 4-20 mA ( 5% @ full scale) proportional to Velocity, RMS, 2.0 ips (50.8 mm/sec), 1/4-28 mounting hole (stud included), MIL-C-5015 connector.
В данный момент по товару нет предложений.
Документация
Datasheet
Загрузка...