bomЗАПРОС
category Категории
cartКорзины
orderЗаказы
payОплата и доставка contactsКонтакты
8 800 533-88-70
Поиск по компоненту

RUS

Войти
bom
Tablo_logo
... / Главная / Все категории / Полупроводниковые компоненты /Интегральные схемы /Микросхемы памяти цифровые /Магниторезистивная оперативная память /

M30162040108X0IWAY

Магниторезистивная оперативная память Renesas Electronics M30162040108X0IWAY

MRAM M30162040108X 16MB HIGH PERFORMANCE QSPI 108MHZ IND MR
Производитель: Renesas Electronics
Статус жизненого цикла: Неизвестно
* Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
* Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
Технические параметры
Атрибут
Значение
Выбрать
RoHS
Y
Тип продукта
MRAM
Размер фабричной упаковки
225
Moisture Sensitive
Yes
Категория продукта
MRAM
Brand
Renesas Electronics
Все параметры...
Показать похожие (622)
Похожие компоненты (622)
MR25H128AMDF
MRAM 128Kb 3.3V 16Kx8 SPI
MR25H128ACDF
MRAM 128Kb 3.3V 16Kx8 SPI
AS3001204-0054X0IWAY
MRAM Avalanche High Performance Serial P-SRAM 1Mb in WSON8 package with QSPI - 54MHz interface, 3V, -40 C to 85 C
Показать все
В данный момент по товару нет предложений.
Оставить заявку
Доставка
Самовывоз и доставка транспортной компанией.
Узнать больше
Оплата
Оплата картой онлайн и по счету.
Узнать больше
Документация
Datasheet