Интернет-магазин
электронных компонентов
ЗАПРОС
Категории
Корзины
Заказы
Оплата и доставка
Контакты
8 800 533-88-70
Поиск по компоненту
RUS
Войти
...
/
Главная
/
Все категории
/
Полупроводниковые компоненты
/
Диодные мосты
/
Транзисторы
/
Транзисторы биполярные с изолированным затвором
/
NXH350N100H4Q2F2P1G
Транзисторы биполярные с изолированным затвором onsemi NXH350N100H4Q2F2P1G
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Si/SiC Hybrid Module - EliteSiC, I-Type NPC 1000 V, 350 A IGBT, 1200 V, 100 A SiC Diode, Q2 Package Press-fit pins
Производитель:
onsemi
* Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
* Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
Технические параметры
Атрибут
Значение
Выбрать
Срок эксплуатации
Manufacturer
onsemi
Категория продукта
IGBT Modules
RoHS
Y
Product
IGBT Silicon Modules
Configuration
3-Phase Inverter
Все параметры...
Показать похожие
Похожие компоненты
Показать все
В данный момент по товару нет предложений.
Оставить заявку
Документация
Datasheet