RUS
Транзисторы биполярные с изолированным затвором onsemi NXH350N100H4Q2F2P1G
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Si/SiC Hybrid Module - EliteSiC, I-Type NPC 1000 V, 350 A IGBT, 1200 V, 100 A SiC Diode, Q2 Package Press-fit pins
Производитель: onsemi
Статус жизненого цикла: Неизвестно
* Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
* Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
Технические параметры
Атрибут
Значение
Выбрать
RoHS
Y
Тип продукта
IGBT Modules
Размер фабричной упаковки
12
Категория продукта
IGBT Modules
Pd - Power Dissipation
592 W, 731 W
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Все параметры...
Похожие компоненты
В данный момент по товару нет предложений.
Документация
Datasheet