RUS
Микросхемы памяти цифровые Micron Technologies M25P40-VMN6TGB
Микросхема - низковольтная FLASH - память
Производитель: Micron Technologies
Статус жизненого цикла: Неизвестно
* Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
* Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
Технические параметры
Атрибут
Значение
Выбрать
Отечественный компонент
Нет
Напряжение питания - макс.
3,6 В
Напряжение питания - мин.
2,3 В
Максимальная тактовая частота
75 МГц
Тип корпуса
SO8N
Объём памяти
4 Мбит (512К x 8)
Похожие компоненты (3207)
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416)
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения NPN x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=10kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
RN1423TE85LF
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения NPN 50V 0.8A TRANSISTOR LOG
Поставщик: Склад Tablo.top
Все поставщики
Доставка: 1 нед.
Тип упаковки:
3 шт.
на складеКоличество
Цена
1+
1265.51 RUB
MOQ: 1шт.
Всего:
1265.51 RUB
Купить в 1 клик
Документация
Datasheet