Дискретные полупроводниковые модули IXYS IXTN600N04T2

Дискретные полупроводниковые модули GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET

Производитель: IXYS

Статус жизненого цикла: Неизвестно

* Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Технические параметры

Атрибут

Значение

Выбрать

Fall Time

250 ns

Rise Time

20 ns

RoHS

Unit Weight

30 g

Package/Case

SOT-227B

Тип продукта

Discrete Semiconductor Modules

Все параметры...

Показать похожие

Похожие компоненты

Показать все

В данный момент по товару нет предложений.

Оставить заявку

Доставка

Самовывоз и доставка транспортной компанией.

Оплата

Оплата картой онлайн и по счету.

Документация

Datasheet