RUS
Дискретные полупроводниковые модули IXYS IXFN300N10P
Дискретные полупроводниковые модули Polar Power MOSFET HiPerFET
Производитель: IXYS
Статус жизненого цикла: Неизвестно
* Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
* Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
Технические параметры
Атрибут
Значение
Выбрать
Fall Time
25 ns
Rise Time
35 ns
RoHS
Y
Unit Weight
30 g
Package/Case
SOT-227-4
Тип продукта
Discrete Semiconductor Modules
Все параметры...
Похожие компоненты (2602)
В данный момент по товару нет предложений.
Документация
Datasheet