Поиск по компоненту

RUS

Войти
bom
Tablo_logo

Транзисторы с изолированным затвором IXYS IXYK110N120B4

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT TO264
Производитель: IXYS
Статус жизненого цикла: Неизвестно
* Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
* Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
Технические параметры
Атрибут
Значение
Выбрать
RoHS
Y
Тип продукта
IGBT Transistors
Размер фабричной упаковки
300
Категория продукта
IGBT Transistors
Pd - Power Dissipation
1.36 kW
Максимальная рабочая температура
+ 175 C
Все параметры...
Показать похожие (1714)
Похожие компоненты (1714)
IXYH24N90C3
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) GenX3 900V XPT IGBTs
IXYH10N170C
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT XPT-HI VOLTAGE
IXYN50N170CV1
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1700V/120A High Volt
Показать все
В данный момент по товару нет предложений.
Оставить заявку
Доставка
Самовывоз и доставка транспортной компанией.
Узнать больше
Оплата
Оплата картой онлайн и по счету.
Узнать больше
Документация
Datasheet