RUS
Транзисторы с изолированным затвором IXYS IXYX110N120B4
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT PLUS247
Производитель: IXYS
Статус жизненого цикла: Неизвестно
* Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
* Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
Технические параметры
Атрибут
Значение
Выбрать
RoHS
Y
Тип продукта
IGBT Transistors
Размер фабричной упаковки
30
Категория продукта
IGBT Transistors
Pd - Power Dissipation
1.36 kW
Максимальная рабочая температура
+ 175 C
Все параметры...
Похожие компоненты (1369)
Реле защиты Relay module, 24 V DC, Green LED, Free-wheeling diode, 1 NC and 3 NO contacts forcibily guided (EN 61810-3 type A) (AgSnO gold-plated) , 250 V AC, 6 A
В данный момент по товару нет предложений.
Документация
Datasheet