Транзисторы биполярные с изолированным затвором Infineon Technologies BSM25GD120DN2

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 25A FL BRIDGE

Производитель: Infineon Technologies

* Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Технические параметры

Атрибут

Значение

Выбрать

Brand

Infineon Technologies

Width

45 mm

Height

17 mm

Length

107.5 mm

Product

IGBT Silicon Modules

Срок эксплуатации

Не рекомендуется для новых разработок.

Все параметры...

Показать похожие

Похожие компоненты

Показать все

В данный момент по товару нет предложений.

Оставить заявку

Документация

Datasheet