Дискретные полупроводниковые модули Infineon Technologies F3L11MR12W2M1B74BOMA1

Дискретные полупроводниковые модули LOW POWER EASY

Производитель: Infineon Technologies

* Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Технические параметры

Атрибут

Значение

Выбрать

Type

CoolSiC MOSFET

Brand

Infineon Technologies

Product

IGBT Silicon Carbide Modules

Fall Time

18.5 ns

Срок эксплуатации

Packaging

Tray

Все параметры...

Показать похожие

Похожие компоненты

Показать все

В данный момент по товару нет предложений.

Оставить заявку

Документация

Datasheet