bomЗАПРОС
category Категории
cartКорзины
orderЗаказы
payОплата и доставка contactsКонтакты
8 800 533-88-70
Поиск по компоненту

RUS

Войти
bom
Tablo_logo
... / Главная / Все категории / Полупроводниковые компоненты /Интегральные схемы /Микросхемы памяти цифровые /Магниторезистивная оперативная память /

MR25H10CDFR

Магниторезистивная оперативная память Everspin Technologies MR25H10CDFR

Магниторезистивная оперативная память (MRAM) 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial Магниторезистивная оперативная память (MRAM)
Производитель: Everspin Technologies
Статус жизненого цикла: Неизвестно
* Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
* Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
Технические параметры
Атрибут
Значение
Выбрать
Вид монтажа
SMD/SMT
RoHS
Y
Package/Case
DFN-8
Тип продукта
MRAM
Размер фабричной упаковки
4000
Moisture Sensitive
Yes
Все параметры...
Показать похожие (1381)
Похожие компоненты (1381)
564ПУ6В
Микросхема - четыре преобразователя уровня
1564ПУ2
Микросхема - 6 понижающих преобразователей логических уровней
SN74LXC1T45QDCKRQ1
Трансляция - уровни напряжения Automotive, single-bit dual-supply bus transceiver with configurable voltage-level shifting
Показать все
В данный момент по товару нет предложений.
Оставить заявку
Доставка
Самовывоз и доставка транспортной компанией.
Узнать больше
Оплата
Оплата картой онлайн и по счету.
Узнать больше
Документация
Datasheet