bomЗАПРОС
category Категории
cartКорзины
orderЗаказы
payОплата и доставка contactsКонтакты
8 800 533-88-70
Поиск по компоненту

RUS

Войти
bom
Tablo_logo
... / Главная / Все категории / Полупроводниковые компоненты /Интегральные схемы /Микросхемы памяти цифровые /Магниторезистивная оперативная память /

MR25H256CDF

Магниторезистивная оперативная память Everspin Technologies MR25H256CDF

Магниторезистивная оперативная память (MRAM) 256Kb 3.3V 32Kx8 Serial Магниторезистивная оперативная память (MRAM)
Производитель: Everspin Technologies
Статус жизненого цикла: Неизвестно
* Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
* Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
Технические параметры
Атрибут
Значение
Выбрать
RoHS
Y
Package/Case
DFN-8
Тип продукта
MRAM
Размер фабричной упаковки
570
Moisture Sensitive
Yes
Категория продукта
MRAM
Все параметры...
Показать похожие (8129)
Похожие компоненты (8129)
T598D337M2R5ATE009
Tantalum Capacitors - Polymer 2.5V 330uF 7343 20% ESR=0.009Ohms AECQ2
T540D477M003BH8505
Полимерные танталовые конденсаторы 3V 470uF 2917 20% ESR=40mOhms
T540D477K003BH8605
Полимерные танталовые конденсаторы 3V 470uF 2917 10% ESR=40mOhms
Показать все
В данный момент по товару нет предложений.
Оставить заявку
Доставка
Самовывоз и доставка транспортной компанией.
Узнать больше
Оплата
Оплата картой онлайн и по счету.
Узнать больше
Документация
Datasheet