RUS
... / Главная / Все категории / Полупроводниковые компоненты /Диодные мосты /Транзисторы /
Транзисторы биполярные с изолированным затвором
Транзисторы биполярные с изолированным затвором
Подкатегории
Фильтры
Всего результатов: 1696
Manufacturer
Product
Configuration
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
Collector-Emitter Saturation Voltage
Continuous Collector Current at 25 C
Gate-Emitter Leakage Current
Pd - Power Dissipation
Package/Case
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Qualification
Packaging
Фильтр
Всего результатов: 1696
FP100R12N2T7BPSA2
Описание:
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Производитель: Infineon Technologies
FF900R17ME7B11BPSA1
Описание:
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Производитель: Infineon Technologies
IM523S6AXKMA1
Описание:
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Производитель: Infineon Technologies
FF225R17ME7B11BPSA1
Описание:
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Производитель: Infineon Technologies
IM241S6S1BAUMA1
Описание:
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Производитель: Infineon Technologies
FS100R12N2T7B15BPSA1
Описание:
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Производитель: Infineon Technologies
IM241M6S1JAUMA1
Описание:
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Производитель: Infineon Technologies
FP50R12N2T7BPSA2
Описание:
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Производитель: Infineon Technologies
FS150R12N2T7B15BPSA1
Описание:
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Производитель: Infineon Technologies